Hafniummnitrid kann nach den gleichen Verfahren wie Titannitrid dargestellt werden.
So erhält man Hafniumnitrid bei der Synthese aus den Elementen bei 1400°C bis 1500°C.
Bei der Herstellung von Hafniumnitrid aus Hafnium(IV)-chlorid durch das Aufwachsverfahren wird bei Gegenwart von Wasserstoff (H2 + N2 oder Ammoniak) eine tiefere Temperatur (2000 bis 2400°C) benötigt als in reinem Stickstoff (2900°C). Im letzteren Fall erfolgt die Abscheidung bedeutend langsamer als bei Anwesenheit von Wasserstoff.
Unter Hochdruckbedingungen bildet sich bei Ammonolyse oder Reaktion von Hafniumnitrid mit Stickstoff ein Hafniumnitrid Hf3N4 vom kubischen Th3P4-Typ mit der Raumgruppe I43d.
Eigenschaften
Hafniumnitrid ist ein dunkelgrauer bis gelbbrauner geruchloser Feststoff. Er ist elektrisch leitend und hat eine kubische Kristallstruktur vom Natriumchlorid-Typ mit der Raumgruppe Fm3m(Nr. 225)Vorlage:Raumgruppe/225. Durch Leerstellen in der Gitterstruktur beträgt die reale Dichte von Hafniumnitrid nur 11,70 g·cm−3 anstelle der auf Basis von Gitterstrukturanalysen mit Röntgenverfahren bestimmten 13,39 g·cm−3. Es ist ein sehr hartes und beständiges Material und hat eine Vickershärte von 46 GPa. Hafniumnitrid ist ein Supraleiter mit einer Sprungtemperatur von 9,18 K.
Verwendung
Hafniumnitrid wird als Sputtermaterial zur Erhöhung der Stabilität von Dioden, Transistoren und elektronischen Schaltkreisen verwendet. Es wird auch als Beschichtungsmaterial von Schneidwerkzeugen verwendet, da es der stabilste Hartstoff mit hoher Schmelztemperatur ist.
12M. E. Straumanis, C. A. Faunce: Der unvollkommene Aufbau des Hafniumnitrids und das Bindungsproblem. In: Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie. 353, 1967, S.329–336, doi:10.1002/zaac.19673530514.
123Georg Brauer (Hrsg.), unter Mitarbeit von Marianne Baudler u.a.: Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie. 3., umgearbeitete Auflage. Band II, Ferdinand Enke, Stuttgart 1978, ISBN 3-432-87813-3, S. 1379.
12Dzivenko, Dmytro: High-pressure synthesis, structure and properties of cubic zirconium(IV)- and hafnium(IV) nitrides. Dissertation (2009), urn:nbn:de:tuda-tuprints-18742
↑Werner Martienssen, Hans Warlimont: Springer Handbook of Condensed Matter and Materials Data. Springer, 2005, ISBN 978-3-540-30437-1, S. 468 (eingeschränkte Vorschauin der Google-Buchsuche).
↑Derya Deniz: Texture evolution in metal nitride (aluminum nitride, titanium nitride, hafnium nitride) thin films prepared by off-normal incidence reactive magnetron sputtering. ProQuest, 2008, ISBN 978-1-109-03782-1, S. 6 (eingeschränkte Vorschauin der Google-Buchsuche).
↑H.-S. Seo, T.-Y. Lee, J. G. Wen, I. Petrov, J. E. Greene, and D. Gall, “Growth and physical properties of epitaxial HfN layers on MgO(001),” J. Appl. Phys. 96, 878–884 (2004), doi:10.1063/1.1759783