FinFET on eräänlainen kenttävaikutustransistori, jossa on kanavatransistorien tekniikkaa. Siihen kuuluu pystyasentoinen evä ja portti. Portti on kierretty kanavan ympärille lähteen ja viemärin välien kohdalta. Portin ja kanavan välissä on niin paljon tilaa, että sähkönhallinta on helpompaa kuin tasomaisissa Fet-laitteissa. Näin sähkön vuotoja syntyy vähemmän. Puolijohteisten laitteiden, joissa käytetään nanoelektronista tekniikkaa, valmistustekniikka perustuu FinFET-transistoreihin. FinFET-transistorien valmistuksen ja suunnittelun seikkoja ovat maskien sijoitus ja reititys, uutto- ja ajoitusanalyysit ja suunnittelun varmennus prosessin aikana.
FinFET-tekniikan avulla pystytään kehittämään entistä pienempiä transistoreja. Tätä tekniikkaa käytetään mikroprosessoreissa, grafiikkaprosessoreissa, system-on-chip-yksiköissä ja muissa integroiduissa piireissä.
FinFET-tekniikan ensimmäinen konsepti kehitettiin 1967.1989 valmistettiin FinFET-transistori, jota kutsuttiin nimellä DELTA, joka tulee sanoista Depleted Lean-channel Transistor.