Hilavirhe

Hilavirhe eli kidevirhe on kiteisessä aineessa esiintyvä poikkeama säännöllisestä kiderakenteesta.

Kiteisissä aineissa atomit tai molekyylit sijaitsevat säännöllisessä järjestyksessä vakinaisella etäisyydellä toisistaan, minkä määrittävät hilavakiot. Useimmissa kiteisissä aineissa säännöllinen järjestys ei kuitenkaan ole täydellinen, vaan siitä esiintyy poikkeamia, joita sanotaan kide­virheiksi.

Pistemäiset virheet

Pistemäiset virheet ovat kidevirheitä, jotka esiintyvät vain yhdessä hila­pisteessä tai sen lähi­ympäristössä, josta ne eivät ulotu kauemmaksi mihinkään suuntaan. Ei voida tarkoin määritellä, kuinka suurelle alueelle se enintään voi ulottua, jotta kyseessä olisi pistemäinen virhe, mutta yleensä se käsittää vain muutamaa atomia vastaavan alueen. Laajemmat poikkeamat katsotaan dislokaatioiksi. Historiallisista syistä monia piste­mäisiä virheitä, varsinkin ioni­kiteissä, sanotaan keskuksiksi; esimerkiksi tyhjää paikka monissa ioniyhdisteissä sanotaan luminesenssikeskuksiksi, väri­keskuksiksi tai F-keskuksiksi. Tällaiset dislokaatiot tekevät mahdolliseksi ionien kulkeutumisen kiteen läpi, mikä voi saada aikaan sähkökemiallisia reaktioita. Näitä osoittamaan käytetään Krögerin-Vinkin merkintätapaa.

Joitakin tyypillisiä pistevirheitä kiteissä, joissa muutoin on vain yhden alkuaineen atomeja.
Hilavirheitä kemiallisen yhdisteen kiteessä, esimerkkinä galliumarsenidi.

Viivamaiset virheet

Viivamaisia virheitä eli lineaarisia virheitä voidaan kuvata mittakenttäteorialla.

Särmädislokaatio. Dislokaatio esiintyy sinisellä merkityn viivan ympärillä, Burgersion vektorit b on merkitty mustalla.

Särmädislokaatio esiintyy, jos atomien muodostama hilataso päättyy keskellä kidettä. Silloin sen läheisyydessä olevat hilatasot vääntyvät epätasaisiksi, kuitenkin siten, että riittävän kaukana dislokaatiosta kiderakenne on jälleen säännöllinen. Ilmiötä voidaan verrata paperipinoon: jos pinon väliin työnnetään pienempi paperi, muut pinossa olevat paperit tulevat epätasaisiksi vain lähellä tämän pienemmän paperin reunaa.

Ruuvidislokaatio on vaikeampi havainnollistaa, mutta oleellisesti sen muodostaa rakenne, jossa hilatasot vääntyvät siten, että atomit muodostavat ruuviviivaa muistuttavan uran.

Dislokaation suuruutta ja suuntaa mitataan Burgersin vektoreilla b. Särmädislokaation tapauksessa tämä vektori on kohtisuorassa dislokaatiolinjaa vastaan, ruuvidislokaation tapauksessa sen suuntainen. Metalleissa b on hilavektorien suuntainen ja atomien välisen etäisyyden mittainen.

Dislokaatiot voivat siirtyä, jos sen viereisten hilatasojen atomien väliset sidokset katkeavat ja tilalle syntyy uusia sidoksia. Metallien taottavuus aiheutuu dislokaatioista ja siitä, että ne voivat metallikiteeseen kohdistuvan jännityksen vaikutuksesta siirtyä kiteessä paikasta toiseen ja vuorovaikuttaa toistensa kanssa.

Dislokaatiot voidaan havaita esimerkiksi transmissioelektronimikroskopian, kenttäionimikroskopian ja atomiluotaimen avulla.

Tasovirheet

Muut virheet

Kiteessä saattaa esiintyä alueita, joissa ei ole lainkaan atomeja. Sellaiset voidaan käsittää vakanssien kasautumiksi.

Epäpuhtausatomit voivat kasautua kiteessä tietyille atomeille muodostaen alueita, jotka ovat eri ainetta. Tällaisia sanotaan presipitaateiksi tai erkaumiksi.

Matemaattisia luokitusmetodeja

Topologisen homotopiateorian avulla voidaan kidevirheet luokitella. Luokitusta voidaan soveltaa, paitsi kiinteisiin aineisiin, myös nestekiteisiin ja supranesteisiin.

Lähteet

  1. ↑ P. Ehrhart, Properties and interactions of atomic defects in metals and alloys,volume 25 of Landolt-Börnstein, New Series III, kappale 2, sivu 88, Springer, Berlin, 1991
  2. ↑ R. W. Siegel, Atomic Defects and Diffusion in Metals, in Point Defects and Defect Interactions in Metals, toim. J.-I. Takamura, sivu 783, Pohjois-Hollanti, Amsterdam, 1982
  3. ↑ J. H. Crawford, L. M. Slifkin: Point Defects in Solids. Plenum Press, 1975.
  4. ↑ G. D. Watkins, Native defects and their interactions with impurities in silicon, in Defects and Diffusion in Silicon Processing, toimittanut T. Diaz de la Rubia, S. Coffa, P. A. Stolk, and C. S. Rafferty, volume 469 of MRS Symposium Proceedings, sivu 139, Materials Research Society, Pittsburgh, 1997
  5. ↑ T. Mattila, RM Nieminen: Direct Antisite Formation in Electron Irradiation of GaAs. Physical review letters, 1995, nro 74. PubMed:10058001 doi:10.1103/PhysRevLett.74.2721 Bibcode:1995PhRvL..74.2721M
  6. ↑ H. Hausman, A. Pillukat, P. Ehrhart: Point defects and their reactions in electron-irradiated GaAs investigated by optical absorption spectroscopy. Physical Review B, 1996, nro 54, s. 8527. doi:10.1103/PhysRevB.54.8527 Bibcode:1996PhRvB..54.8527H
  7. ↑ Klaus-Peter Lieb, Juhani Keinonen: Luminescence of ion-irradiated α-quartz. Contemporary Physics, 2006, nro 47, s. 305. doi:10.1080/00107510601088156 Bibcode:2006ConPh..47..305L
  8. 1 2 J. P. Hirth, J. Lothe: Theory of dislocations. 2 painos. Krieger Pub Co, 1992. ISBN 0894646176 Teoksen verkkoversio.
  9. ↑ Metallien lujittamisesta lyhyesti (Arkistoitu – Internet Archive) Tampereen teknillinen yliopisto, Materiaaliopin laitos, 2005
  10. ↑ N. Merkin: The topological theory of defects in ordered media. Reviews of Modern Physics, 1979, nro 51, s. 591. doi:10.1103/RevModPhys.51.591 Bibcode:1979RvMP...51..591M

Aiheesta muualla