130 nm 공정

130 nm(나노미터) 공정 또는 0.13 µm(마이크로미터) 공정은 회로선 폭이 130 nm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 2000년에서 2001년 경 인텔, IBM, 텍사스 인스트루먼트, TSMC 등의 회사가 달성하였다.

130 나노미터라는 값의 기원은 매 2 ~ 3년마다 반도체의 게이트 길이를 이전 세대의 공정에 비해 70% 수준으로 축소하는 것을 반영한 동향에서 나왔다. 130 나노미터의 공식적인 명칭은 국제 반도체 기술 로드맵(ITRS)에서 확정하였다.

인텔 펜티엄 III의 투알라틴은 이 공정으로 제조된 최초의 CPU 중 하나이다.

130 나노미터 제조 공정을 적용한 프로세서

반도체 소자 제조

MOSFET 스케일링 (공정 노드)
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977 1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022 002 nm – 2025
미래 001 nm – 2027
하프 노드 집적도 CMOS 소자 (멀티게이트) 무어의 법칙 반도체 산업 나노전자
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