| RAM의 종류 | |
| 개발 | JEDEC |
|---|---|
| 유형 | Synchronous dynamic random-access memory |
| 세대 | 4세대 |
| 이전 | GDDR3 SDRAM |
| 다음 | GDDR5 SDRAM |
GDDR4, 그래픽스 더블 데이터 레이트 4(Graphics Double Data Rate 4, Graphics Double Data Rate version 4) SDRAM은 JEDEC 반도체 메모리 표준에 의해 규정된 그래픽 카드 메모리(SGRAM)의 한 종류이다. 이는 램버스의 XDR DRAM과 경쟁 관계에 있는 매체였다. GDDR4는 DDR3 SDRAM 기술을 기반으로 하며 DDR2 SDRAM 기반의 GDDR3를 대체하기 위해 고안되었으나, 1년 만에 (역시 DDR3를 기반으로 하는) GDDR5에 의해 대체되는 결과로 끝났다.
GDDR4 SDRAM은 데이터 전송 지연을 줄이기 위해 DBI(Data Bus Inversion)와 멀티 프리앰블(Multi-Preamble)을 도입했다. 프리페치는 4비트에서 8비트로 증가했다. GDDR4의 최대 메모리 뱅크 수는 8개로 늘어났다. 코어 전압은 1.5 V로 감소했다.
데이터 버스 인버전(DBI)은 주소/명령 버스와 각 데이터 바이트에 추가적인 액티브 로우 DBI# 핀을 추가한다. 데이터 바이트에 0 비트가 4개보다 많으면 바이트가 반전되고 DBI# 신호가 '로우'로 전송된다. 이런 방식으로 9개 핀 전체에 걸친 0 비트의 수는 4개로 제한된다.: 9 이는 전력 소비와 접지 바운스를 줄여준다.
신호 측면에서 GDDR4는 칩 I/O 버퍼를 2 사이클당 8비트로 확장하여 버스트 전송 중에 더 높은 지속 대역폭을 허용하지만, GDDR3와 비교했을 때 주소/명령 핀 수의 두 배 감소와 절반 속도로 작동하는 DRAM 셀로 인해 CAS 레이턴시(CL)가 상당히 증가하는 대가를 치렀다. 주소 지정 핀의 수는 GDDR3 코어의 절반으로 줄어들었고 나머지는 전원 및 접지용으로 사용되었으며, 이 또한 레이턴시를 증가시켰다. GDDR4의 또 다른 장점은 전력 효율성으로, 2.4 Gbit/s로 작동할 때 2.0 Gbit/s로 작동하는 GDDR3 칩에 비해 45% 적은 전력을 사용한다.
삼성전자의 GDDR4 SDRAM 데이터시트에서는 'GDDR4 SGRAM' 또는 'Graphics Double Data Rate version 4 Synchronous Graphics RAM'으로 지칭되었다. 그러나 필수적인 블록 쓰기(block write) 기능을 사용할 수 없으므로 엄밀히는 SGRAM으로 분류되지 않는다.
현재는 없어진 비디오 메모리 제조업체 키몬다(전 인피니온 메모리 제품 부문, 지식 재산권은 마이크론에 매각됨)는 GDDR4 개발을 "건너뛰고" 직접 GDDR5로 넘어갈 것이라고 밝힌 바 있다.