마이크로웨이브 모놀리식 집적 회로(Monolithic microwave integrated circuit) 또는 MMIC("mimic"으로 발음)는 마이크로파 무선주파수 대역(300 MHz ~ 300 GHz)에서 동작하는 집적 회로(IC) 소자의 일종이다. 이 소자들은 일반적으로 마이크로파 주파수 믹서, 전력 증폭, 저잡음 증폭, 고주파 스위칭과 같은 기능을 수행한다. MMIC 소자의 입출력은 대개 50옴의 특성 임피던스에 맞추어져 있다. 이로 인해 MMIC를 여러 단으로 연결할 때 외부 매칭 네트워크가 필요하지 않아 사용이 더 편리하다. 또한, 대부분의 마이크로파 측정 장비는 50옴 환경에서 동작하도록 설계되어 있다.
MMIC는 크기가 작고(약 1 mm2에서 10 mm2 사이) 대량 생산이 가능하여, 휴대전화와 같은 고주파 기기의 확산을 가능하게 했다. MMIC는 원래 갈륨 비소(GaAs), 즉 III-V족 화합물 반도체를 사용하여 제작되었다. 이는 IC 구현의 전통적인 재료인 규소(Si)에 비해 소자(트랜지스터) 속도와 반절연 기판이라는 두 가지 근본적인 장점을 가진다. 두 요소 모두 고주파 회로 기능 설계에 도움을 준다. 그러나 트랜지스터의 소형화에 따라 규소 기반 기술의 속도도 점차 향상되었고, 현재는 규소 기술로도 MMIC를 제작할 수 있다. 규소 기술의 주된 장점은 GaAs에 비해 제작 비용이 저렴하다는 것이다. 규소 웨이퍼의 직경은 더 크며(일반적으로 GaAs의 4~8인치 대비 8~12인치), 웨이퍼 비용이 낮아 IC 가격을 낮추는 데 기여한다.
초기에 MMIC는 능동 소자로 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET)를 사용했다. 최근에는 하이 일렉트론 모빌리티 트랜지스터(HEMT), 의사형태(pseudomorphic) HEMT, 이종접합 바이폴라 트랜지스터가 흔히 사용된다.
인화 인듐(InP)과 같은 다른 III-V족 기술은 이득, 더 높은 차단 주파수, 저잡음 측면에서 GaAs보다 우수한 성능을 보이는 것으로 나타났다. 하지만 작은 웨이퍼 크기와 재료의 취성(fragility)으로 인해 비용이 더 비싼 경향이 있다.
실리콘 게르마늄(SiGe)은 기존 규소 소자보다 더 빠른 트랜지스터를 제공하면서도 유사한 비용 효율성을 가진 규소 기반 화합물 반도체 기술이다.
질화 갈륨(GaN) 또한 MMIC를 위한 선택지 중 하나이다. GaN 트랜지스터는 GaAs 트랜지스터보다 훨씬 높은 온도와 전압에서 동작할 수 있으므로, 마이크로파 대역의 이상적인 전력 증폭기가 된다.
