{"version":"1.0","type":"link","title":"HEMT - Newikis","description":"Il transistor ad effetto di campo ad alta mobilità elettronica (sigla inglese HEMT per High Electron Mobility Transistor o HFET per Heterostructure Field Effect Transistor) è caratterizzato da una giunzione tra due semiconduttori con differente band gap, ovvero un'eterogiunzione, ed è utilizzato…","provider_name":"Newikis","provider_url":"https://newikis.com","cache_age":86400,"thumbnail_url":"https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/1/16/HighElectronMobilityTrasistor_Structure_Image.PNG","thumbnail_width":429,"thumbnail_height":409}