{"version":"1.0","type":"link","title":"GeSbTe - Newikis","description":"GeSbTe (ゲルマニウム=アンチモン=テルルまたは GST) は、書き換え可能な光ディスクや相変化メモリ用途に使用されるカルコゲン化物ガラスのグループに属する相変化材料である。 再結晶化時間は20ナノ秒で、最大35メガビット/秒のビットレートでの書き込みと、最大106サイクルの直接上書き機能が可能である。ランド・グルーブ記録フォーマットに適する。書き換え可能DVDでよく使用される。nドープのGeSbTe半導体を用いると、新型の相変化メモリが生まれる可能性がある。合金の融点は約600°C (900K) で、結晶化温度は100～150°Cである。","provider_name":"Newikis","provider_url":"https://newikis.com","cache_age":86400}