GlobalFoundries
| GlobalFoundries Inc. | |
|---|---|
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| Empresa de capital aberto | |
| Cotação | NASDAQ: GFS Componente do índice Russell 1000 ISIN: KYG393871085 |
| Atividade | Semicondutores |
| Fundação | 2 de março de 2009, por cisão da Advanced Micro Devices |
| Sede | Malta, Nova York, Estados Unidos |
| Proprietário(s) | Mubadala, com 82% |
| Pessoas-chave | Thomas Caulfield, presidente do conselho de administração Tim Breen, diretor-executivo |
| Empregados | 14.000, em 2025 |
| Serviços | Fabricação de semicondutores |
| Ativos |  US$ 17,141 bilhões, em 2025 |
| Receita | US$ 6,791 bilhões, em 2025 |
| Lucro | US$ 888 milhões, líquido, em 2025 US$ 797 milhões, operacional, em 2025 |
| Website | gf.com |
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GlobalFoundries Inc. é uma multinacional que desenvolve tecnologias, projeta e fabrica semicondutores sob encomenda. Tem domicílio nas Ilhas Cayman e sede em Malta, no estado de Nova York. A empresa foi criada em março de 2009, com a separação da divisão de fabricação da Advanced Micro Devices. Pertencia à Mubadala Investment Company, um fundo soberano dos Emirados Árabes Unidos, até realizar uma oferta pública inicial de ações em outubro de 2021. A Mubadala manteve o controle da empresa, com uma participação de 82%.
A empresa fabrica circuitos integrados em wafers para dispositivos móveis inteligentes, centros de processamento de dados e infraestrutura de comunicações, assim como para os setores automotivo, aeroespacial e de defesa e para produtos de internet das coisas voltados ao consumidor.
Em 2023, a GlobalFoundries era a terceira maior fabricante de semicondutores sob encomenda em receita. Era a única com operações em Singapura, na União Europeia e nos Estados Unidos. Em Singapura, tinha uma fábrica de wafers de 200 mm e outra de 300 mm. Na Alemanha, operava uma fábrica de 300 mm em Dresden. Nos Estados Unidos, tinha uma fábrica de 200 mm em Essex Junction, em Vermont, onde era a maior empregadora privada, e outra de 300 mm em Malta, Nova York.
A GlobalFoundries tem a certificação "Trusted Foundry", de fabricante confiável, do governo federal dos Estados Unidos. Também possui certificações semelhantes em Singapura e na Alemanha, entre elas a certificação pela norma internacional Common Criteria, ISO 15408, versão CC 3.1.
Em 28 de outubro de 2021, a empresa vendeu ações em sua oferta pública inicial na bolsa NASDAQ por US$ 47 cada, no limite superior da faixa de preço prevista, e captou cerca de US$ 2,6 bilhões.
História
Em 7 de outubro de 2008, a Advanced Micro Devices, AMD, anunciou que pretendia adotar o modelo de produção sem fábricas próprias e separar seu negócio de fabricação de semicondutores em uma nova empresa, provisoriamente chamada The Foundry Company. A Mubadala anunciou que sua subsidiária Advanced Technology Investment Company, ATIC, havia concordado em pagar US$ 700 milhões para elevar sua participação no negócio de fabricação de semicondutores da AMD de 8,1% para 55,6%. A Mubadala investiria US$ 314 milhões em 58 milhões de novas ações, aumentando sua participação na AMD para 19,3%. A The Foundry Company assumiria US$ 1,2 bilhão da dívida da AMD. Em 8 de dezembro de 2008, foram anunciadas alterações no acordo. A AMD ficaria com aproximadamente 34,2% da The Foundry Company, e a ATIC, com cerca de 65,8%.
A GlobalFoundries foi anunciada oficialmente em 4 de março de 2009. Em 7 de setembro, a ATIC anunciou que compraria a Chartered Semiconductor, sediada em Singapura, por 2,5 bilhões de dólares de Singapura, equivalentes a US$ 1,8 bilhão, e a integraria à GlobalFoundries. Em 13 de janeiro de 2010, a GlobalFoundries anunciou a conclusão dessa integração.
Em 4 de março de 2012, a AMD anunciou a venda dos 14% que ainda detinha na empresa, concluindo seu plano de se desfazer da divisão de fabricação, iniciado anos antes.
Em 20 de outubro de 2014, a IBM anunciou a venda de seu negócio de microeletrônica à GlobalFoundries.
Em 2015, a empresa tinha dez fábricas. A Fab 1 ficava em Dresden, na Alemanha. As Fabs 2 a 7 ficavam em Singapura, e as Fabs 8 a 10, no nordeste dos Estados Unidos. Essas unidades contavam com uma rede de pesquisa e desenvolvimento, apoio a projetos e atendimento ao cliente em Singapura, China, Taiwan, Japão, Índia, Estados Unidos, Alemanha e Reino Unido. Em fevereiro de 2017, a empresa anunciou a construção da Fab 11, uma fábrica de wafers de 300 mm na China, para atender ao crescimento do mercado de semicondutores no país.
Em 2016, a GlobalFoundries licenciou da Samsung Electronics o processo FinFET 14LPP de 14 nanômetros. Em 2018, desenvolveu o nó 12LP de 12 nm, com base nesse processo da Samsung.
Em 27 de agosto de 2018, a GlobalFoundries anunciou o cancelamento de seu processo 7LP. A decisão acompanhou uma mudança de estratégia, com prioridade para processos especializados em lugar da busca pelo desempenho mais avançado.
Em 29 de janeiro de 2019, a AMD anunciou uma alteração em seu acordo de fornecimento de wafers com a GlobalFoundries. A AMD passou a ter liberdade para comprar wafers de 7 nm ou de nós menores de qualquer fabricante. As duas empresas também estabeleceram compromissos de fornecimento e preços para wafers de 12 nm entre 2019 e 2021.
Em 20 de maio de 2019, a Marvell Technology anunciou que compraria a Avera Semi da GlobalFoundries por US$ 650 milhões, com a possibilidade de pagar outros US$ 90 milhões. A Avera Semi era a divisão de soluções ASIC da GlobalFoundries e havia integrado o negócio de fabricação de semicondutores da IBM. Em 1 de fevereiro de 2019, a GlobalFoundries havia anunciado a venda da Fab 3E, em Tampines, Singapura, à Vanguard International Semiconductor, VIS, por US$ 236 milhões. A venda fazia parte de seu plano de deixar o mercado de sistemas microeletromecânicos, MEMS, até 31 de dezembro de 2019. Em 22 de abril de 2019, a empresa anunciou a venda da Fab 10, em East Fishkill, Nova York, à ON Semiconductor por US$ 430 milhões. A GlobalFoundries recebeu US$ 100 milhões e receberia outros US$ 330 milhões no fim de 2022, quando a ON Semiconductor assumiria todo o controle operacional. A fábrica de wafers de 300 mm, que havia pertencido à IBM, podia produzir com processos de 65 nm a 40 nm. Em 15 de agosto de 2019, a GlobalFoundries anunciou um acordo de fornecimento por vários anos com a Toppan Photomasks. O acordo previa a compra de sua unidade de fotomáscaras em Burlington pela Toppan.
Em fevereiro de 2020, a GlobalFoundries anunciou o início da produção de sua memória magnetorresistiva não volátil embarcada, eMRAM, a primeira do setor pronta para produção.
Em maio de 2020, a GlobalFoundries abandonou seus planos de abrir a Fab 11 em Chengdu, na China, em meio à rivalidade entre o país e os Estados Unidos, apontada como motivo da decisão. Três anos antes, a fabricante havia anunciado um investimento de US$ 10 bilhões na nova fábrica, que nunca entrou em operação.
Em 26 de abril de 2021, a GlobalFoundries anunciou a transferência imediata de sua sede mundial de Santa Clara, na Califórnia, para o complexo de Malta, Nova York, onde fica a Fab 8.
Em agosto de 2022, o Google ampliou suas iniciativas de projeto e fabricação de chips de código aberto com uma parceria com a GlobalFoundries para desenvolver um kit de projeto de processo, PDK, também de código aberto, baseado no nó de 180 nm da fabricante. Em 31 de outubro, o Google anunciou que financiaria, nos meses seguintes, rodadas gratuitas de fabricação OpenMPW, nas quais diferentes projetos compartilham um wafer.
A GlobalFoundries foi patrocinadora na categoria ouro do Penguin Plunge da Special Olympics Vermont. O evento arrecadou mais de US$ 500 mil em 2022 para apoiar atletas do estado.
Em fevereiro de 2023, a GlobalFoundries assinou um acordo para fornecer com exclusividade chips semicondutores fabricados nos Estados Unidos à General Motors, durante a transição da montadora para veículos elétricos. Anunciado como o primeiro do tipo no setor, o acordo permitiria à General Motors reduzir a quantidade de modelos de chips usados em seus veículos. A produção seria realizada em Malta, Nova York. O acordo não previa a criação imediata de empregos, mas daria estabilidade ao fornecimento de chips. No anúncio, o diretor-executivo da GlobalFoundries, Thomas Caulfield, afirmou que os efeitos completos do aumento da produção seriam percebidos em dois a três anos.
Em 21 de setembro de 2023, o Departamento de Defesa dos Estados Unidos concedeu à GlobalFoundries um contrato de dez anos para o fornecimento de semicondutores fabricados em condições de segurança para aplicações críticas dos setores aeroespacial e de defesa. Com um valor inicial de US$ 17,3 milhões e um teto de gastos de US$ 3,1 bilhões ao longo de dez anos, o contrato dá ao departamento e às empresas contratadas por ele acesso aos semicondutores fabricados pela GlobalFoundries nos Estados Unidos. O acordo também permite o acesso às ferramentas e aos serviços de projeto da empresa, às bibliotecas de propriedade intelectual e às tecnologias avançadas.
Em novembro de 2024, a GlobalFoundries pagou uma multa de US$ 500 mil ao Departamento de Comércio dos Estados Unidos por enviar, sem licença, US$ 17 milhões em produtos a uma entidade sob sanções, ligada à Semiconductor Manufacturing International Corporation.
Expansão e investimentos pelo CHIPS and Science Act
Em fevereiro de 2024, o Departamento de Comércio dos Estados Unidos anunciou um investimento previsto de US$ 1,5 bilhão na GlobalFoundries pelo CHIPS and Science Act. A empresa foi a primeira a receber um compromisso de financiamento dessa escala pelo programa. O investimento permitiria ampliar a capacidade de fabricação e introduzir novos recursos de produção de semicondutores para os setores automotivo, de internet das coisas, aeroespacial e de defesa, entre outros.
Em maio de 2026, foi anunciado que a GlobalFoundries receberia US$ 375 milhões para estabelecer uma fábrica de semicondutores quânticos segura nos Estados Unidos, destinada às principais arquiteturas e a diferentes modalidades de computação quântica.
GlobalFoundries contra TSMC e outros, 2019
Em 26 de agosto de 2019, a GlobalFoundries entrou com ações por violação de patentes contra a TSMC e alguns de seus clientes nos Estados Unidos e na Alemanha. A empresa alegou que os nós de 7 nm, 10 nm, 12 nm, 16 nm e 28 nm da TSMC infringiam 16 de suas patentes. As ações foram apresentadas à Comissão de Comércio Internacional dos Estados Unidos, aos tribunais federais de distrito de Delaware e do oeste do Texas e aos tribunais regionais de Düsseldorf e Mannheim, na Alemanha. A GlobalFoundries incluiu 20 réus nas ações, entre eles Apple, Broadcom, MediaTek, Nvidia, Qualcomm, Xilinx, Arista, ASUS, BLU, Cisco, Google, Hisense, Lenovo, Motorola, TCL, OnePlus, Avnet/EBV, Digi-Key e Mouser. Em 27 de agosto, a TSMC anunciou que estava examinando as ações, afirmou que as alegações não tinham fundamento e que defenderia sua tecnologia proprietária.
Em 1 de outubro de 2019, a TSMC entrou com ações por violação de patentes contra a GlobalFoundries nos Estados Unidos, na Alemanha e em Singapura. A TSMC alegou que os nós de 12 nm, 14 nm, 22 nm, 28 nm e 40 nm da GlobalFoundries infringiam 25 de suas patentes.
Em 29 de outubro de 2019, as empresas anunciaram um acordo para encerrar a disputa. O licenciamento cruzado abrangia todas as suas patentes de semicondutores existentes e aquelas cujos pedidos fossem apresentados nos dez anos seguintes. As licenças valeriam por toda a vigência das patentes.
Expansão em Dresden, 2025
Em 28 de outubro de 2025, a GlobalFoundries anunciou planos de investir 1,1 bilhão de euros na ampliação de sua fábrica em Dresden, na Alemanha, pelo projeto SPRINT. A meta era superar a produção de um milhão de wafers por ano até o fim de 2028. Com apoio do governo federal alemão e do estado da Saxônia, o investimento integra o programa da Lei Europeia de Chips e busca tornar o fornecimento de semicondutores na Europa menos vulnerável a interrupções.
Diretores-executivos
- Doug Grose, de 2009 a 2011
- Ajit Manocha, de 2011 a 2014
- Sanjay Jha, de 2014 a 2018
- Thomas Caulfield, de 2018 a 2025
- Tim Breen, desde 2025
Fábricas
| Nome | Diâmetro do wafer | Localização | Coordenadas | Processo de fabricação |
|---|---|---|---|---|
| Fab 1 | 300 mm | Dresden, Alemanha | 51° 07′ 30″ N, 13° 42′ 58″ L | 55, 45, 40, 32, 28, 22 nm, 12 nm |
| Fab 2 | 200 mm | Woodlands, Singapura | 1° 26′ 10″ N, 103° 45′ 58″ L | 600–350 nm |
| Fab 3/5 | 200 mm | Woodlands, Singapura | 1° 26′ 10″ N, 103° 45′ 58″ L | 350–180 nm |
| Fab 3E | 200 mm | Tampines, Singapura (vendida em 2019 à VIS) | 1° 22′ 16″ N, 103° 55′ 44″ L | 180 nm |
| Fab 6 | 200 mm | Woodlands, Singapura (convertida para 300 mm e integrada à Fab 7) | 1° 26′ 10″ N, 103° 45′ 58″ L | 180–110 nm |
| Fab 7 | 300 mm | Woodlands, Singapura | 1° 26′ 10″ N, 103° 45′ 58″ L | 130–40 nm |
| Fab 8 | 300 mm | Luther Forest Technology Campus, Saratoga County, Nova Iorque, Estados Unidos | 42° 58′ 12″ N, 73° 45′ 22″ O | 28, 20, 14 nm |
| Fab 9 | 200 mm | Essex Junction, Vermont, Estados Unidos | 44° 29′ N, 73° 06′ O | 350–90 nm |
Fábricas de wafers de 300 mm
Fab 1
A Fab 1, em Dresden, na Alemanha, ocupa 364.512 m² e foi transferida para a GlobalFoundries na criação da empresa. As antigas Fab 36 e Fab 38 passaram a se chamar Módulo 1 e Módulo 2, respectivamente. Cada módulo pode produzir 25 mil wafers de 300 mm de diâmetro por mês.
O Módulo 1 produz wafers de 300 mm com processos de 40 nm, 28 nm em silício maciço e 22 nm em silício sobre isolante totalmente depletado, FD-SOI. O Módulo 2, originalmente chamado "Fab 30 da AMD", era uma fábrica de wafers de 200 mm que entrou em operação em 1999 e chegou a produzir 30 mil wafers por mês. A unidade foi convertida para wafers de 300 mm. Com as ampliações das salas limpas, entre elas o anexo, os módulos têm capacidade máxima conjunta de 80 mil wafers de 300 mm por mês, equivalentes a 180 mil wafers de 200 mm, com processos de 45 nm ou menores.
Em setembro de 2016, a GlobalFoundries anunciou que adaptaria a Fab 1 para produzir componentes de 12 nm em silício sobre isolante totalmente depletado. A empresa esperava que os clientes concluíssem os primeiros projetos para fabricação no primeiro semestre de 2019.
Em 2020, a fábrica de Dresden tinha capacidade para produzir 300 mil wafers por ano.
Em 2023, foi anunciado que a GlobalFoundries planejava investir US$ 8 bilhões em Dresden para dobrar a capacidade de sua maior unidade de produção.
Fab 7
A Fab 7, em Woodlands, Singapura, fabrica wafers de 300 mm e pertencia à Chartered Semiconductor. A unidade produz com processos de 130 nanômetros a 40 nm em CMOS sobre silício maciço e em silício sobre isolante, SOI. Sua capacidade máxima é de 50 mil wafers de 300 mm por mês, equivalentes a 112.500 wafers de 200 mm.
Em 15 de abril de 2021, a meta de capacidade da Fab 7 era de 70 mil a 80 mil wafers por mês.
Fab 8
A Fab 8 fica no Luther Forest Technology Campus, no condado de Saratoga, em Nova York, Estados Unidos, e fabrica wafers de 300 mm. A GlobalFoundries construiu a unidade em um terreno sem instalações industriais anteriores, para a produção com tecnologias avançadas. A fábrica pode produzir com processos de 14 nm. As obras começaram em julho de 2009, e a produção em escala teve início em 2012. Sua capacidade máxima é de 60 mil wafers de 300 mm por mês, equivalentes a mais de 135 mil wafers de 200 mm. Em setembro de 2016, a empresa anunciou um investimento de bilhões de dólares para adaptar a Fab 8 à produção de componentes FinFET de 7 nm a partir do segundo semestre de 2018. O processo usaria inicialmente litografia por ultravioleta profundo, com uma transição posterior para litografia ultravioleta extrema.
Em agosto de 2018, a GlobalFoundries suspendeu o desenvolvimento e os planos de produção em 7 nm, alegando que não tinha como arcar com o custo dos equipamentos necessários para a Fab 8. A empresa manteve aberta a possibilidade de retomar o projeto caso obtivesse recursos adicionais e passou a dedicar mais esforços à fabricação e à pesquisa e desenvolvimento de FD-SOI. A Fab 8 fornece à AMD wafers de processadores para as linhas Ryzen, Threadripper e Epyc, baseadas na arquitetura Zen. Os processadores Zen originais e os Zen+ tinham um projeto monolítico e eram fabricados nas instalações da GlobalFoundries em Malta. Na geração Zen 2, a AMD adotou um projeto com chiplets. Os processadores Zen 2 para computadores de mesa e servidores reúnem um chip de entrada e saída de 14 nm ou 12 nm e chips de 7 nm que contêm os núcleos de processamento. Com a suspensão dos planos de 7 nm da GlobalFoundries, a AMD transferiu a produção dos chips com os núcleos para a TSMC, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. Antes da definição, houve especulações sobre onde eles seriam fabricados.
Na conferência de resultados do quarto trimestre de 2018 da AMD, realizada em 29 de janeiro de 2019, a diretora-executiva Lisa Su anunciou a sétima alteração do acordo de fornecimento de wafers com a GlobalFoundries, chamado WSA. O acordo previa que a AMD compraria wafers de 12 nm e de nós maiores da GlobalFoundries e poderia adquirir wafers de 7 nm de qualquer fabricante, sem pagar royalties. O contrato tinha vigência até 2024, garantindo encomendas para a fábrica de Malta nesse intervalo, e fixava compromissos de preços até 2021. Em dezembro de 2021, as empresas alteraram o acordo para estender os compromissos de capacidade e os preços dos wafers de 12 nm e 14 nm até 31 de dezembro de 2025. A AMD manteve a liberdade de contratar qualquer fabricante para produtos de todos os nós tecnológicos.
Credenciamento como fornecedor confiável
Em maio de 2023, o Departamento de Defesa dos Estados Unidos credenciou a fábrica da GlobalFoundries em Malta como fornecedora confiável de categoria 1A. O credenciamento foi concedido pelo Trusted Access Program Office, TAPO, da Defense Microelectronics Activity, DMEA. A certificação permite à empresa fabricar semicondutores com requisitos de segurança para aplicações críticas dos setores aeroespacial e de defesa.
Fab 10
A Fab 10, em East Fishkill, Nova York, Estados Unidos, era chamada de Edifício 323 da IBM. A unidade passou para a GlobalFoundries com a aquisição da IBM Microelectronics e fabricava com processos de até 14 nm. Em abril de 2019, foi anunciada sua venda à ON Semiconductor por US$ 430 milhões, com transferência prevista ao longo de três anos.
Em 10 de fevereiro de 2023, a Onsemi comemorou a transferência do complexo e da fábrica de wafers de 300 mm de East Fishkill.
Fábricas de wafers de 200 mm
Todas as fábricas de wafers de 200 mm, exceto a Fab 9, ficam em Singapura e pertenceram à Chartered Semiconductor.
Fab 2
A Fab 2 fica em Woodlands, Singapura. A unidade fabrica wafers com processos de 600 nm a 350 nm para determinados circuitos integrados automotivos, circuitos de alta tensão para gerenciamento de energia e componentes de sinais mistos.
Fab 3/5
A Fab 3/5 fica em Woodlands, Singapura. A unidade fabrica wafers com processos de 350 nm a 180 nm para circuitos integrados de alta tensão usados no acionamento de telas pequenas e em módulos de gerenciamento de energia de dispositivos móveis.
Fab 3E
A Fab 3E fica em Tampines, Singapura. A unidade produz wafers com processos de 180 nanômetros para determinados circuitos integrados automotivos, circuitos de alta tensão para gerenciamento de energia e componentes de sinais mistos com memória não volátil embarcada.
Em janeiro de 2019, a GlobalFoundries anunciou um acordo para vender a Fab 3E à Vanguard International Semiconductor Corporation. A transferência de propriedade estava prevista para ser concluída em 31 de dezembro de 2019.
Fab 6
A Fab 6 fica em Woodlands, Singapura, e usa interconexões de cobre na fabricação de circuitos integrados CMOS e RFCMOS com processos de 180 nanômetros a 110 nm, destinados a aplicações como dispositivos Wi-Fi e Bluetooth. A unidade foi convertida para wafers de 300 mm e incorporada à Fab 7, que fabrica produtos com wafers desse diâmetro.
Fab 9
A Fab 9, em Essex Junction, nos Estados Unidos, fica perto de Burlington, a maior cidade de Vermont. A unidade passou para a GlobalFoundries com a aquisição da IBM Microelectronics. A fábrica produz com processos de até 90 nm e é a maior empregadora privada do estado. O complexo também tinha uma unidade própria de fabricação de fotomáscaras, com desenvolvimento para processos de até 7 nm, vendida à Toppan em 2019.
Fusões e aquisições
Chartered Semiconductor
A Advanced Technology Investment Company, de Abu Dhabi, acionista majoritária da GlobalFoundries, anunciou em 6 de setembro de 2009 um acordo para comprar a Chartered Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., sediada em Singapura, por um total de US$ 3,9 bilhões. As operações da Chartered seriam incorporadas à GlobalFoundries.
A Chartered Semiconductor integrava a Common Platform, aliança da IBM para tecnologias de semicondutores. A GlobalFoundries participava da Common Platform Technology Alliance por meio de um acordo de desenvolvimento conjunto.
IBM Microelectronics
Em outubro de 2014, a GlobalFoundries recebeu US$ 1,5 bilhão da IBM para assumir a IBM Microelectronics. A operação abrangia uma fábrica de wafers de 200 mm em Essex Junction, Vermont, que passou a se chamar Fab 9, e outra de 300 mm em East Fishkill, Nova York, que se tornou a Fab 10. O acordo previa que a GlobalFoundries seria a única fornecedora de chips de processadores para os servidores da IBM nos dez anos seguintes. A transação foi concluída em 1 de julho de 2015. Os funcionários da IBM na Índia transferidos à GlobalFoundries passaram a integrar seu escritório em Bangalore.
Em abril de 2019, a ON Semiconductor e a GlobalFoundries anunciaram um acordo de US$ 430 milhões para transferir à ON Semiconductor a propriedade da Fab 10, fábrica de wafers de 300 mm em East Fishkill.
Em 2021 e 2023, a GlobalFoundries processou a IBM por disputas de propriedade intelectual que envolviam acordos da IBM com a Intel e a Rapidus.
Tagore Technology
Em 1 de julho de 2024, a GlobalFoundries adquiriu o portfólio de propriedade intelectual da Tagore Technology para nitreto de gálio, GaN, já usado em produção. A compra ampliou os planos da GlobalFoundries para soluções de gerenciamento de energia e seu acesso a tecnologias de GaN para sistemas de alimentação de alta eficiência destinados a centros de processamento de dados de inteligência artificial e a aplicações automotivas e de internet das coisas.
MIPS Technologies
Em 2025, a GlobalFoundries adquiriu a MIPS Technologies, desenvolvedora de propriedade intelectual para processadores RISC-V e de inteligência artificial. A aquisição ampliou seu portfólio de propriedade intelectual para computação e permitiu integrar arquiteturas de processadores de baixo consumo às suas tecnologias especializadas.
Licenciamento de tecnologia de GaN da TSMC
Em 10 de novembro de 2025, a GlobalFoundries assinou com a TSMC um acordo de licenciamento de tecnologias de GaN de 650 V e 80 V. O acordo apoia o desenvolvimento, nos Estados Unidos, de um portfólio de componentes de potência de GaN destinados a dispositivos de alta eficiência para centros de processamento de dados e aplicações industriais e automotivas.
Advanced Micro Foundry
Em 17 de novembro de 2025, a GlobalFoundries anunciou a aquisição da Advanced Micro Foundry, AMF, fabricante de componentes de fotônica em silício sediada em Singapura. A compra ampliou sua capacidade de produzir componentes de fotônica em silício e interconexões ópticas para centros de processamento de dados, telecomunicações, sensores e sistemas LiDAR. Com a aquisição, a empresa se tornou a maior fabricante independente de componentes de fotônica em silício em receita.
InfiniLink
Em 25 de novembro de 2025, a GlobalFoundries adquiriu a InfiniLink, uma startup de semicondutores sediada no Cairo que desenvolve soluções de conectividade óptica de alta velocidade. A aquisição busca acelerar o desenvolvimento de transceptores conectáveis, óptica integrada no mesmo encapsulamento, CPO, e componentes ópticos para centros de processamento de dados de inteligência artificial e redes de alto desempenho.
Negócio de propriedade intelectual de processadores ARC da Synopsys
Em janeiro de 2026, foi anunciado que a GlobalFoundries havia concordado em comprar o negócio ARC Processor IP Solutions da Synopsys. A transação, prevista para o segundo semestre de 2026 e sujeita à aprovação dos órgãos reguladores, abrange linhas de propriedade intelectual para processadores e inteligência artificial, além das respectivas equipes de engenharia. Essas atividades seriam integradas à MIPS, subsidiária da GlobalFoundries. Os valores da transação não foram divulgados.
Processos de fabricação
A GlobalFoundries fabrica seu processo FD-SOI de 22 nm com tecnologia licenciada da STMicroelectronics, como fornecedora alternativa. A STMicroelectronics assinou depois um acordo de fornecimento e licenciamento da mesma tecnologia com a Samsung.
O processo FinFET 14LPP de 14 nanômetros da GlobalFoundries é fabricado sob licença da Samsung Electronics, como alternativa de fornecimento. Os nós FinFET de 12 nm da empresa derivam do processo 14LPP de 14 nm da Samsung.
A tabela reúne uma seleção dos processos de fabricação da empresa.
| Nome do processo | Processo ITRS (nm) | Ano de introdução | Diâmetro do wafer (mm) | Litografia (comprimento de onda) | Tipo de transistor | Passo entre portas (nm) | Passo do primeiro metal (nm) | Área da célula SRAM (μm2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 4S | 600 | 1993 | 200 silício maciço | – | Planar | – | – | – |
| CS-24 | 500 | 1993 | 200 silício maciço | – | Planar | – | – | – |
| 5L | 500 | 1993 | 200 silício maciço | – | Planar | – | – | – |
| 5S | 500 | 1994 | 200 silício maciço | – | Planar | – | – | – |
| SiGe 5HP | 500 | 2001 | 200 | – | Planar | – | – | – |
| SiGe 5AM | 500 | 2001 | 200 | – | Planar | – | – | – |
| SiGe 5DM | 500 | 2002 | 200 | – | Planar | – | – | – |
| SiGe 5PA | 500 | 2002 | 200 | – | Planar | – | – | – |
| 5X | 450 | 1994 | 200 silício maciço | – | Planar | – | – | – |
| CS-34 | 350 | 1995 | 200 silício maciço | – | Planar | – | – | – |
| SiGe 5HPE | 350 | 2001 | 200 | – | Planar | – | – | – |
| SiGe 5PAe | 350 | 2007 | 200 | – | Planar | – | – | – |
| SiGe 5PAx | 350 | 2016 | 200 | – | Planar | – | – | – |
| SiGe 1KW5PAe | 350 | ? | 200 | – | Planar | – | – | – |
| SiGe 1K5PAx | 350 | 2016 | 200 | – | Planar | – | – | – |
| 6S | 290 | 1996 | 200 silício maciço | – | Planar | – | – | – |
| CS-44 | 250 | 1998 | 200 silício maciço | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 6S2 | 250 | 1997 | 200 silício maciço | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 6SF | 250 | ? | 200 silício maciço | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 6X | 250 | 1997 | 200 silício maciço | – | Planar | – | – | – |
| 6RF | 250 | 2001 | 200 silício maciço | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 250SOI | 250 | 1999 | 200 SOI | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| SiGe 6HP | 250 | 2000 | 200 | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| SiGe 6DM | 250 | ? | 200 | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| SiGe 6WL | 250 | 2007 | 200 | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 7S | 220 | 1998 | 200 silício maciço | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 220SOI | 220 | 1999 | 200 SOI | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 7HV | 180 | 2010 | 200 | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 180 BCDLite | 180 | 2011 | 200 | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 180 UHV | 180 | 2017 | 200 | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 7SF | 180 | 1999 | 200 silício maciço | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 7TG | 180 | ? | 200 silício maciço | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 7RF | 180 | 2003 | 200 silício maciço | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 8S | 180 | 2000 | 200 SOI | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 7RF SOI | 180 | 2007 | 200 RF-SOI, 300 RF-SOI | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 7SW RF SOI | 180 | 2014 | 200 RF-SOI | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| SiGe 7WL | 180 | 2003 | 200 | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| SiGe 7HP | 180 | 2003 | 200 | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 130 BCDLite | 130 | 2014 | 300 | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 130 BCD | 130 | ? | 300 | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 8SF | 130 | 2000 | 200 silício maciço | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 8SFG | 130 | 2003 | 200 silício maciço, 300 silício maciço | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 8RF | 130 | 2003 | 200 silício maciço, 300 silício maciço | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 130G | 130 | ? | 300 silício maciço | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 130LP | 130 | ? | 300 silício maciço | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 130LP/EE | 130 | ? | 300 silício maciço | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 110TS | 130 | ? | 300 silício maciço | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 9S | 130 | 2000 | 200 SOI, 300 SOI | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 130RFSOI | 130 | 2015 | 300 RF-SOI | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 8SW RF SOI | 130 | 2017 | 300 RF-SOI | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| SiGe 8WL | 130 | 2005 | 200 | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| SiGe 8HP | 130 | 2005 | 200, 300 | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| SiGe 8XP | 130 | 2016 | 200 | A seco, 248nm DUV | Planar | – | – | – |
| 9SF | 90 | 2004 | 300 silício maciço | A seco, 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 9LP | 90 | 2005 | 300 silício maciço | A seco, 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 9RF | 90 | ? | 300 silício maciço | A seco, 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 10S | 90 | 2002 | 300 SOI | A seco, 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 90RFSOI | 90 | 2004 | 300 RF-SOI | A seco, 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 9SW | 90 | 2023 | 300 RF-SOI | A seco, 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 90WG | 90 | 2018 | 300 silício maciço | A seco, 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 90WG+ | 90 | ? | 300 silício maciço | A seco, 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| SiGe 9HP | 90 | 2014, 2018 | 200, 300 | A seco, 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 10SF | 65 | ? | 300 silício maciço | A seco, 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 10LP | 65 | ? | 300 silício maciço | A seco, 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 65LPe | 65 | 2009 | 300 silício maciço | A seco, 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 65LPe-RF | 65 | 2009 | 300 silício maciço | A seco, 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 10RFe | 65 | ? | 300 silício maciço | A seco, 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 11S | 65 | 2006 | 300 SOI | A seco, 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 65RFSOI | 65 | 2008 | 300 RF-SOI | A seco, 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 55 BCDLite | 55 | 2018 | 300 | A seco, 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 55HV | 55 | ? | 300 | A seco, 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 55 ULP | 55 | ? | 300 silício maciço | A seco, 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 55LPe | 55 | ? | 300 silício maciço | A seco, 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 55LPe-RF | 55 | ? | 300 silício maciço | A seco, 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 55LPx | 55 | ? | 300 silício maciço | A seco, 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 55RF | 55 | ? | 300 silício maciço | A seco, 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 45LP | 45 | ? | 300 silício maciço | Wet 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 12S | 45 | 2007 | 300 SOI | Wet 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 45RFSOI | 45 | 2008 | 300 RF-SOI | Wet 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 45RFE | 45 | 2017 | 300 RF-SOI | Wet 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 45CLO | 45 | 2021 | 300 | Wet 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 40HV | 40 | ? | 300 | Wet 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 40LP | 40 | ? | 300 silício maciço | Wet 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 40LP-RF | 40 | ? | 300 silício maciço | Wet 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 13S | 32 | 2009 | 300 SOI | Wet 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 32LP | 32 | ? | 300 silício maciço | Wet 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 32HP | 32 | ? | 300 SOI | Wet 193nm DUV, double patterning | Planar | – | – | – |
| 32SHP | 32 | 2010 | 300 SOI | Wet 193nm DUV, double patterning | Planar | – | – | – |
| 28HV | 28 | 2019 | 300 | Wet 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 28LP | 28 | 2009 | 300 silício maciço | Wet 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 28SLP | 28 | 2010 | 300 silício maciço | Wet 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 28SLPe | 28 | 2011 | 300 silício maciço | Wet 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 28HP | 28 | 2010 | 300 silício maciço | Wet 193nm DUV, double patterning | Planar | – | – | – |
| 28HPP | 28 | 2011 | 300 silício maciço | Wet 193nm DUV, double patterning | Planar | – | – | – |
| 28SHP | 28 | 2013 | 300 silício maciço | Wet 193nm DUV, double patterning | Planar | – | – | – |
| 28SLP RF | 28 | 2015 | 300 silício maciço | Wet 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 28FDSOI | 28 | 2012 | 300 FD-SOI | Wet 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 22FDX-ULP | 22 | 2015 | 300 FD-SOI | Wet 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 22FDX-UHP | 22 | 2015 | 300 FD-SOI | Wet 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 22FDX-ULL | 22 | 2015 | 300 FD-SOI | Wet 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 22FDX-RFA | 22 | 2017 | 300 FD-SOI | Wet 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 22FDX RF+ | 22 | 2021 | 300 FD-SOI | Wet 193nm DUV | Planar | – | – | – |
| 14LPP | 14 | 2015 | 300 silício maciço | Wet 193nm DUV, double patterning | 3D (FinFET) | 78 | 64 | 0,09 |
| 14HP | 14 | 2017 | 300 SOI | Wet 193nm DUV, double patterning | 3D (FinFET) | – | – | – |
| 12LP | 12 | 2018 | 300 silício maciço | Wet 193nm DUV, double patterning | 3D (FinFET) | – | – | – |
| 12LP+ | 12 | 2019 | 300 silício maciço | Wet 193nm DUV, double patterning | 3D (FinFET) | – | – | – |
Número de processos na tabela: 110.
Ver também
- Lista de fábricas de semicondutores, relação de fábricas, suas localizações e processos de produção
- Manufatura integrada sem fábrica, modelo de empresas que contratam fabricantes como a GlobalFoundries
- Wafer (eletrônica), substrato usado na fabricação dos circuitos integrados
Referências
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- ↑ GlobalFoundries Introduces 12LP+ FinFET Solution for Cloud and Edge AI Applications " Arquivado em 2020-10-27 no Wayback Machine". Retrieved October 26, 2020.
Leitura adicional
- «Fortalecimento do conhecimento bilateral UE-Brasil sobre tecnologia do setor de semicondutores e possibilidades de cooperação em comércio e P&D» (PDF). Diálogos Setoriais União Europeia–Brasil. Julho de 2023
- Flavia Filippin (2020). Estado e desenvolvimento: a indústria de semicondutores no Brasil (PDF). [S.l.]: Banco Nacional de Desenvolvimento Econômico e Social
- Ricardo Rivera; Ingrid Teixeira; Carlos Azen; Henrique Miguel; José Ricardo Sales (2015). «Microeletrônica: qual é a ambição do Brasil?» (PDF). BNDES Setorial (41): 345–396
- «GlobalFoundries Inc. 2024 Annual Report (Form 20-F)» (em inglês). Comissão de Valores Mobiliários (Estados Unidos). 20 de março de 2025
- Fanto, Michael L. (15 de julho de 2021). «Quantum Integrated Photonics Fabrication at the Foundry Level». SPIE. Photonics for Quantum (em inglês). 40 páginas. doi:10.1117/12.2603533
Ligações externas
- «Catch-up tecnológico e superação da Armadilha da Renda Média: o caso da China no setor de semicondutores». Instituto de Pesquisa Econômica Aplicada. Consultado em 17 de outubro de 2026
- Site oficial
- Documentos da GlobalFoundries na Comissão de Valores Mobiliários dos Estados Unidos
- Dados financeiros da GlobalFoundries no Bloomberg, no Reuters, no Google Finance e no Yahoo! Finance
