Fälteffekttransistor

En fälteffekttransistor, FET, är en speciell typ av transistor, som finns i två typer: junction FET (JFET) och metalloxid-halvledar-FET (MOSFET). FET-enheter har tre terminaler: source, gate och drain.

I en fälteffekttransistor styr man mängden elektrisk ström som passerar mellan elektroderna drain och source genom att lägga en elektrisk spänning på den isolerade styret, så kallad styrspänning, och därigenom skapa ett elektriskt fält. Det elektriska fältet styr i sin tur bredden på den kanal i vilken elektronerna (eller hålen) kommer att färdas.

FET-transistorer är också kända som unipolära transistorer eftersom de har drift av en bärvågstyp. Det vill säga att FET:er använder antingen elektroner (n-kanal) eller hål (p-kanal) som laddningsbärare i dess funktion men inte båda. Det finns många olika typer av fälteffekttransistorer. Fälteffekttransistorer uppvisar i allmänhet mycket hög ingångsimpedans vid låga frekvenser. Den mest använda fälteffekttransistorn är MOSFET (metall-oxid-halvledarfälteffekttransistor).

Grundläggande information

FET:er kan vara anordningar med majoritetsladdningsbärare, i vilka strömmen till övervägande del bärs av majoritetsbärare, eller anordningar för minoritetsladdningsbärare, i vilka strömmen huvudsakligen beror på ett flöde av minoritetsbärare. Enheten består av en aktiv kanal genom vilken laddningsbärare, elektroner eller hål, strömmar från källan till avloppet. Source- och drain-terminalledare är anslutna till halvledaren via ohmska kontakter. Kanalens ledningsförmåga är en funktion av potentialen som appliceras över gate- och source-terminalerna.

FET:ens tre terminaler är: 1. source (S), genom vilken bärarna kommer in i kanalen. Konventionellt betecknas ström som kommer in i kanalen vid S med IS. 2. drain (D), genom vilken bärarna lämnar kanalen. Konventionellt betecknas ström som lämnar kanalen vid D med ID. Drain-to-source-spänningen är VDS. 3. gate (G), terminalen som modulerar kanalens konduktivitet. Genom att lägga spänning på G kan man styra ID.

Konstruktion

FET:er kan konstrueras av olika halvledare, av vilka kisel är den absolut vanligaste. De flesta FET:er tillverkas genom att använda konventionella bulkhalvledarbearbetningstekniker, med en enkristallhalvledarskiva som den aktiva regionen eller kanalen.

Bland de mer ovanliga kroppsmaterialen är amorft kisel, polykristallint kisel eller andra amorfa halvledare i tunnfilmstransistorer eller organiska fälteffekttransistorer (OFETs) som är baserade på organiska halvledare. Ofta är OFET-portisolatorer och elektroder också gjorda av organiskt material. Sådana FET:er tillverkas med användning av en mängd olika material som kiselkarbid (SiC), galliumarsenid (GaAs), galliumnitrid (GaN) eller indiumgalliumarsenid (InGaAs).

I juni 2011 meddelade IBM att man framgångsrikt hade använt grafenbaserade FET:er i en integrerad krets. Dessa transistorer har en gränsfrekvens på cirka 2,23 GHz, mycket högre än vanliga kisel-FET:er.

Typer

Kanalen hos en FET är dopad för att producera antingen en halvledare av n-typ eller en halvledare av p-typ. Dräneringen och källan kan vara dopad av motsatt typ av kanalen, i fallet med förbättringsmod FET, eller dopad av liknande typ till kanalen som i utarmningsmod FET. Fälteffekttransistorer kännetecknas också av metoden för isolering mellan kanal och grind. Typer av FET är:

MOSFET (metall-oxid-halvledarfälteffekttransistor) använder en isolator (typiskt SiO₂) mellan grinden och kroppen. Detta är den absolut vanligaste typen av FET.
- DGMOSFET (dual-gate MOSFET) eller DGMOS, en MOSFET med två isolerade grindar.
- IGBT (isolerad-gate bipolär transistor) är en enhet för effektkontroll. Den har en struktur som liknar en MOSFET kopplad till en bipolär-liknande huvudledningskanal. Dessa används vanligtvis för spänningsområdet 200–3000 V dränering-till-källa. Power MOSFETs är fortfarande den valda enheten för dränering-till-källa-spänningar på 1 till 200 V.
- JLNT (Junctionless nanowire transistor) är en typ av fälteffekttransistor (FET) vars kanal är en eller flera nanotrådar och inte uppvisar någon korsning.
- MNOS (metall-nitrid-oxid-halvledartransistorn) använder en nitridoxidskiktisolator mellan grinden och kroppen.
- ISFET (jonkänslig fälteffekttransistor) kan användas för att mäta jonkoncentrationer i en lösning. När jonkoncentrationen (som H+) ändras kommer strömmen genom transistorn att ändras i enlighet med detta.
- BioFET (Biologically sensitive field-effect transistor) är en klass av sensorer/biosensorer baserade på ISFET-teknologi som används för att detektera laddade molekyler. När en laddad molekyl är närvarande, resulterar förändringar i det elektrostatiska fältet vid BioFET-ytan i en mätbar förändring i strömmen genom transistorn. Dessa omfattar enzymmodifierade FETs (EnFETs), immunologiskt modifierade FETs (ImmunoFETs), genmodifierade FETs (GenFETs), DNAFETs, cellbaserade BioFETs (CPFETs), beetle/chip FETs (BeetleFETs) och FETs baserade på jon-kanaler/proteinbindning.
- DNAFET (DNA-fälteffekttransistor) är en specialiserad FET som fungerar som en biosensor genom att använda en grind gjord av enkelsträngade DNA-molekyler för att detektera matchande DNA-strängar.
- finFET, inklusive GAAFET eller gate-all-around FET, som används på processorchips med hög densitet.
JFET (övergångsfälteffekttransistor) använder en omvänd förspänd p–n-övergång för att separera grinden från kroppen.
- Den statiska induktionstransistorn (SIT) är en typ av JFET med en kort kanal.
DEPFET är en FET bildad i ett helt utarmat substrat och fungerar som en sensor, förstärkare och minnesnod samtidigt. Den kan användas som en bildsensor (foton).
FREDFET (snabb-omvänd eller snabb återhämtning av epitaxialdiod FET) är en specialiserad FET utformad för att ge en mycket snabb återhämtning (avstängning) av kroppsdioden, vilket gör den bekväm för att driva induktiva belastningar som elektriska motorer, speciellt medeldrivna borstlösa DC-motorer.
HIGFET (heterostructure insulated-gate field-effect transistor) används främst inom forskning.
MODFET (modulationsdopad fälteffekttransistor) är en transistor med hög elektronmobilitet som använder en kvantbrunnsstruktur bildad av graderad dopning av det aktiva området.
TFET (tunnel field-effect transistor) är baserad på band-till-band tunneling.
TQFET (topologisk kvantfälteffekttransistor) växlar ett 2D-material från avledningsfri topologisk isolator ('på'-tillstånd) till konventionell isolator ('av'-tillstånd) med hjälp av ett applicerat elektriskt fält.
HEMT (high-electron-mobility transistor), även kallad HFET (heterostructure FET), kan tillverkas med hjälp av bandgap engineering i en ternär halvledare som AlGaAs. Det helt utarmade materialet med bredbandsgap bildar isoleringen mellan grinden och kroppen.
MESFET (metall–halvledarfälteffekttransistor) ersätter p–n-övergången för JFET med en Schottky-barriär och används i GaAs och andra III-V-halvledarmaterial.
NOMFET är en nanopartikel organisk minnesfälteffekttransistor.
GNRFET (grafen nanorribbon field-effect transistor) använder ett grafen nanorribbon för sin kanal.
VeSFET (vertical-slit field-effect transistor) är en fyrkantsformad junctionless FET med en smal slits som förbinder emittern och drain i motsatta hörn. Två grindar upptar de andra hörnen och styr strömmen genom slitsen.
CNTFET ( kolnanorörsfälteffekttransistor ).
OFET (organisk fälteffekttransistor) använder en organisk halvledare i sin kanal.
QFET (quantum field effect transistor) drar fördel av quantum tunneling för att kraftigt öka hastigheten på transistordriften genom att eliminera den traditionella transistorns elektronledningsområde.
SB-FET (Schottky-barriärfälteffekttransistor) är en fälteffekttransistor med metalliska source- och drain-kontaktelektroder, som skapar Schottky-barriärer vid både emitter-kanal- och drain-kanalgränssnitten.
GFET är en mycket känslig grafenbaserad fälteffekttransistor som används som biosensorer och kemiska sensorer. På grund av den tvådimensionella strukturen hos grafen, tillsammans med dess fysiska egenskaper, erbjuder GFET ökad känslighet och minskade fall av "falska positiva" i avkänningsapplikationer.
Fe FET använder en ferroelektrisk mellan grinden, vilket gör att transistorn kan behålla sitt tillstånd i frånvaro av bias - sådana enheter kan användas som icke-flyktigt datorminne.
VTFET, eller Vertical-Transport Field-Effect Transistor, IBMs 2021 modifiering av finFET för att tillåta högre densitet och lägre effekt.

Se även

Referenser

Den här artikeln är helt eller delvis baserad på material från engelskspråkiga Wikipedia, Field-effect transistor, 9 mars 2025.

Noter

↑ Jacob Millman (1985). Electronic devices and circuits. Singapore: McGraw-Hill International. sid. 397. ISBN 978-0-07-085505-2
↑ Jacob Millman (1985). Electronic devices and circuits. Singapore: McGraw-Hill. sid. 384–385. ISBN 978-0-07-085505-2
↑ Bob Yirka (10 January 2011). ”IBM creates first graphene based integrated circuit”. https://phys.org/news/2011-06-ibm-graphene-based-circuit.html.
↑ Lin, Y.-M.; Valdes-Garcia, A.; Han, S.-J.; Farmer, D. B.; Sun, Y.; Wu, Y.; Dimitrakopoulos, C.; Grill, A; et al. (2011). ”Wafer-Scale Graphene Integrated Circuit”. Science 332 (6035): sid. 1294–1297. doi:10.1126/science.1204428. PMID 21659599. Bibcode: 2011Sci...332.1294L.
↑ Belle Dumé (10 december 2012), ”Flexible graphene transistor sets new records”, Physics World, http://physicsworld.com/cws/article/news/2012/dec/10/flexible-graphene-transistor-sets-new-records, läst 14 januari 2019
↑ Schöning, Michael J.; Poghossian, Arshak (2002). ”Recent advances in biologically sensitive field-effect transistors (BioFETs)”. Analyst 127 (9): sid. 1137–1151. doi:10.1039/B204444G. PMID 12375833. Bibcode: 2002Ana...127.1137S. http://juser.fz-juelich.de/record/16078/files/12968.pdf.
↑ freepatentsonline.com, HIGFET and method - Motorola]
↑ Ionescu, A. M.; Riel, H. (2011). ”Tunnel field-effect transistors as energy-efficient electronic switches”. Nature 479 (7373): sid. 329–337. doi:10.1038/nature10679. PMID 22094693. Bibcode: 2011Natur.479..329I.
↑ Dumé, Isabelle (12 December 2018). ”Topological off-on switch could make new type of transistor”. Physics World. IOP Publishing. https://physicsworld.com/a/topological-off-on-switch-could-make-new-type-of-transistor/.
↑ ”Organic transistor paves way for new generations of neuro-inspired computers”. ScienceDaily. 29 januari 2010. https://www.sciencedaily.com/releases/2010/01/100125122101.htm.
↑ Sarvari H.; Ghayour, R.; Dastjerdy, E. (2011). ”Frequency analysis of graphene nanoribbon FET by Non-Equilibrium Green's Function in mode space”. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 43 (8): sid. 1509–1513. doi:10.1016/j.physe.2011.04.018. Bibcode: 2011PhyE...43.1509S.
↑ Jerzy Ruzyllo (2016). Semiconductor Glossary: A Resource for Semiconductor Community. World Scientific. sid. 244. ISBN 978-981-4749-56-5. https://books.google.com/books?id=UlItDQAAQBAJ&pg=PA244
↑ ”Toward Nanowire Electronics”. IEEE Transactions on Electron Devices 55 (11): sid. 2827–2845. November 2008. doi:10.1109/ted.2008.2008011. ISSN 0018-9383. OCLC 755663637. Bibcode: 2008ITED...55.2827A. https://docs.lib.purdue.edu/nanodocs/174.
↑ Prakash, Abhijith; Ilatikhameneh, Hesameddin; Wu, Peng; Appenzeller, Joerg (2017). ”Understanding contact gating in Schottky barrier transistors from 2D channels”. Scientific Reports 7 (1): sid. 12596. doi:10.1038/s41598-017-12816-3. ISSN 2045-2322. OCLC 1010581463. PMID 28974712. Bibcode: 2017NatSR...712596P.
↑ Miklos, Bolza. ”What Are Graphene Field Effect Transistors (GFETs)?”. Graphenea. https://www.graphenea.com/pages/what-are-graphene-field-effect-transistors-gfets.
↑ IBM Research Unveils 'VTFET': A Revolutionary New Chip Architecture Which is Two Times the Performance finFET Dec 2021

Externa länkar

Wikimedia Commons har media som rör Fälteffekttransistor.
Bilder & media
PBS The Field Effect Transistor
How Semiconductors and Transistors Work (MOSFETs) WeCanFigureThisOut.org
Junction Field Effect Transistor
CMOS gate circuitry
Winning the Battle Against Latchup in CMOS Analog Switches
Field Effect Transistors in Theory and Practice
The Field Effect Transistor as a Voltage Controlled Resistor
”The FET (field effect transistor)”. The FET (field effect transistor). rolinychupetin (L.R.Linares). March 30, 2013. https://www.youtube.com/watch?v=SjeK1nkiFvI.

[millman2-1] Jacob Millman (1985). Electronic devices and circuits. Singapore: McGraw-Hill International. sid. 397. ISBN 978-0-07-085505-2

[millman-2] Jacob Millman (1985). Electronic devices and circuits. Singapore: McGraw-Hill. sid. 384–385. ISBN 978-0-07-085505-2

[3] Bob Yirka (10 January 2011). ”IBM creates first graphene based integrated circuit”. https://phys.org/news/2011-06-ibm-graphene-based-circuit.html.

[4] Lin, Y.-M.; Valdes-Garcia, A.; Han, S.-J.; Farmer, D. B.; Sun, Y.; Wu, Y.; Dimitrakopoulos, C.; Grill, A; et al. (2011). ”Wafer-Scale Graphene Integrated Circuit”. Science 332 (6035): sid. 1294–1297. doi:10.1126/science.1204428. PMID 21659599. Bibcode: 2011Sci...332.1294L.

[5] Belle Dumé (10 december 2012), ”Flexible graphene transistor sets new records”, Physics World, http://physicsworld.com/cws/article/news/2012/dec/10/flexible-graphene-transistor-sets-new-records, läst 14 januari 2019

[6] Schöning, Michael J.; Poghossian, Arshak (2002). ”Recent advances in biologically sensitive field-effect transistors (BioFETs)”. Analyst 127 (9): sid. 1137–1151. doi:10.1039/B204444G. PMID 12375833. Bibcode: 2002Ana...127.1137S. http://juser.fz-juelich.de/record/16078/files/12968.pdf.

[7] reepatentsonline.com, HIGFET and method - Motorola]

[8] Ionescu, A. M.; Riel, H. (2011). ”Tunnel field-effect transistors as energy-efficient electronic switches”. Nature 479 (7373): sid. 329–337. doi:10.1038/nature10679. PMID 22094693. Bibcode: 2011Natur.479..329I.

[9] Dumé, Isabelle (12 December 2018). ”Topological off-on switch could make new type of transistor”. Physics World. IOP Publishing. https://physicsworld.com/a/topological-off-on-switch-could-make-new-type-of-transistor/.

[10] ”Organic transistor paves way for new generations of neuro-inspired computers”. ScienceDaily. 29 januari 2010. https://www.sciencedaily.com/releases/2010/01/100125122101.htm.

[11] Sarvari H.; Ghayour, R.; Dastjerdy, E. (2011). ”Frequency analysis of graphene nanoribbon FET by Non-Equilibrium Green's Function in mode space”. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 43 (8): sid. 1509–1513. doi:10.1016/j.physe.2011.04.018. Bibcode: 2011PhyE...43.1509S.

[12] Jerzy Ruzyllo (2016). Semiconductor Glossary: A Resource for Semiconductor Community. World Scientific. sid. 244. ISBN 978-981-4749-56-5. https://books.google.com/books?id=UlItDQAAQBAJ&pg=PA244

[13] ”Toward Nanowire Electronics”. IEEE Transactions on Electron Devices 55 (11): sid. 2827–2845. November 2008. doi:10.1109/ted.2008.2008011. ISSN 0018-9383. OCLC 755663637. Bibcode: 2008ITED...55.2827A. https://docs.lib.purdue.edu/nanodocs/174.

[14] Prakash, Abhijith; Ilatikhameneh, Hesameddin; Wu, Peng; Appenzeller, Joerg (2017). ”Understanding contact gating in Schottky barrier transistors from 2D channels”. Scientific Reports 7 (1): sid. 12596. doi:10.1038/s41598-017-12816-3. ISSN 2045-2322. OCLC 1010581463. PMID 28974712. Bibcode: 2017NatSR...712596P.

[15] Miklos, Bolza. ”What Are Graphene Field Effect Transistors (GFETs)?”. Graphenea. https://www.graphenea.com/pages/what-are-graphene-field-effect-transistors-gfets.

[16] IBM Research Unveils 'VTFET': A Revolutionary New Chip Architecture Which is Two Times the Performance finFET Dec 2021