Borsubarsenid

Kristallstruktur
	_ B3+ 0 _ As3−
Kristallsystem	kubisch
Gitterparameter	0,4777 nm
Allgemeines
Name	Borsubarsenid
Andere Namen	Dodecabordiarsenid; Borarsenid (mehrdeutig);
Verhältnisformel	B12As2
Externe Identifikatoren/Datenbanken
Wikidata	Q15718766
Eigenschaften
Molare Masse	279,58 g·mol−1
Sicherheitshinweise
H- und P-Sätze	H: 331‐301‐410
	P: ?
	Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Borsubarsenid ist eine chemische Verbindung des Bors aus der Gruppe der Arsenide. In der Literatur wird häufig der mehrdeutige Name Borarsenid verwendet.

Gewinnung und Darstellung

Borsubarsenid kann durch pyrolytische Zersetzung von Diboran und Arsenwasserstoff oberhalb von 920 °C gewonnen werden.

Eigenschaften

Borsubarsenid besteht aus Bor-Ikosaedern mit dazwischenliegenden As₂-Gruppen, weist einen Bandabstand von 3,47 eV auf und wird ausgehend von einem Substrat auf Siliciumcarbid gezüchtet.

Bei Raumtemperatur weist Borsubarsenid eine sehr hohe Wärmeleitfähigkeit λ von über 2 kW/(m·K) auf, was ungefähr der Wärmeleitfähigkeit von Diamant entspricht.

Einzelnachweise

↑ Nicht explizit in Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP) gelistet, fällt aber mit der angegebenen Kennzeichnung unter den Gruppeneintrag Arsenverbindungen, mit Ausnahme der namentlich in diesem Anhang bezeichneten in der Datenbank ECHA CHEM der Europäischen Chemikalienagentur (ECHA), abgerufen am 3. März 2025. Hersteller bzw. Inverkehrbringer können die harmonisierte Einstufung und Kennzeichnung erweitern.
↑ Eintrag zu Arsenverbindungen in der GESTIS-Stoffdatenbank des IFA, abgerufen am 3. März 2025. (JavaScript erforderlich)
↑ J. L. Boone, T. P. Vandoren: Boron arsenide thin film solar cell development. In: NASA STI/Recon Technical Report N. Band 81, September 1980, S. 14445, bibcode:1980STIN...8114445B.
↑ University of Bristol, Applied Spectroscopy Group: Semiconductor Research. Archiviert vom Original am 1. Februar 2014; abgerufen am 19. Oktober 2022 (englisch).
↑ L. Lindsay, D. A. Broido, T. L. Reinecke: First-Principles Determination of Ultrahigh Thermal Conductivity of Boron Arsenide: A Competitor for Diamond? In: Physical Review Letters. Band 111, Nr. 2, 2013, S. 025901, doi:10.1103/PhysRevLett.111.025901.

[CLP_100.240.769-1] Nicht explizit in Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP) gelistet, fällt aber mit der angegebenen Kennzeichnung unter den Gruppeneintrag Arsenverbindungen, mit Ausnahme der namentlich in diesem Anhang bezeichneten in der Datenbank ECHA CHEM der Europäischen Chemikalienagentur (ECHA), abgerufen am 3. März 2025. Hersteller bzw. Inverkehrbringer können die harmonisierte Einstufung und Kennzeichnung erweitern.

[GESTIS-2] Eintrag zu Arsenverbindungen in der GESTIS-Stoffdatenbank des IFA, abgerufen am 3. März 2025. (JavaScript erforderlich)

[harvard.edu-3] J. L. Boone, T. P. Vandoren: Boron arsenide thin film solar cell development. In: NASA STI/Recon Technical Report N. Band 81, September 1980, S. 14445, bibcode:1980STIN...8114445B.

[semi1-4] University of Bristol, Applied Spectroscopy Group: Semiconductor Research. Archiviert vom Original am 1. Februar 2014; abgerufen am 19. Oktober 2022 (englisch).

[linds1-5] L. Lindsay, D. A. Broido, T. L. Reinecke: First-Principles Determination of Ultrahigh Thermal Conductivity of Boron Arsenide: A Competitor for Diamond? In: Physical Review Letters. Band 111, Nr. 2, 2013, S. 025901, doi:10.1103/PhysRevLett.111.025901.