ChangXin Memory Technologies

ChangXin Memory Technologies
Rechtsform	Aktiengesellschaft; teilweise in Staatsbesitz
Gründung	Mai 2016
Sitz	Hefei, Anhui, China Volksrepublik Volksrepublik China
Leitung	Zhu Yiming (Vorsitzender)
Mitarbeiterzahl	19.298 (2025)
Branche	Halbleiterindustrie
Website	https://www.cxmt.com/

ChangXin Memory Technologies (CXMT; chinesisch 长鑫存储技术有限公司, Pinyin Chángxīn Cúnchǔ Jìshù Yǒuxiàn Gōngsī) ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei in der Provinz Anhui. Das Unternehmen, das zuvor unter anderem als Innotron Memory, Hefei Chang Xin und Hefei Rui-li Integrated Circuit Manufacturing firmierte, ist auf die Produktion von DRAM-Speicher spezialisiert. Die Muttergesellschaft, die an der Börse gelistet ist, trägt den Namen ChangXin Technology Group (长鑫科技集团股份有限公司) und im Englischen CXMT Corporation. Eine ihrer bedeutendsten Tochtergesellschaften ist ChangXin Memory Technologies.

Im Jahr 2020 stellte ChangXin LPDDR4- und DDR4-Speicher in einem 19-nm-Fertigungsverfahren her. Die Produktionskapazität belief sich damals auf 40.000 Wafer im Monat. Im Juli 2025 wurde erwartet, dass die Produktion bis Ende 2025 auf 720.000 Wafer je Quartal steigen würde. Im Jahr 2026 war CXMT der größte DRAM-Hersteller Chinas und der viertgrößte weltweit.

Im Jahr 2025 brachte das Unternehmen DDR5-DRAM auf den Markt und bereitete einen Börsengang in Shanghai vor, mit dessen Erlös die Produktionsanlagen modernisiert sowie die Erforschung und Entwicklung fortgeschrittener DRAM-Technologien finanziert werden soll. Seit dem 27. Juli 2026 ist das Unternehmen an der Börse von Shanghai notiert.

Geschichte

Gemeinsam mit Fujian Jinhua Integrated Circuit (JHICC) und Xi’an UniIC Semiconductors gehörte Innotron zu einer Gruppe chinesischer Halbleiterfabriken, die 2016 gegründet wurden, um mit den weltweit führenden Herstellern von Computerspeichern zu konkurrieren und dabei staatliche Unterstützung erhielten.

Im Jahr 2017 wurde ein Investitionsvorhaben im Umfang von 7,2 Milliarden US-Dollar zum Bau einer Fabrik angekündigt, die monatlich bis zu 125.000 Wafer im 12-Zoll- beziehungsweise 300-mm-Format produzieren sollte. Die Fabrik von Innotron wurde Mitte 2017 fertiggestellt. Ende desselben Jahres begann die Installation der Produktionsanlagen. Der Probebetrieb und die Massenproduktion waren für Ende 2018 beziehungsweise Anfang 2019 vorgesehen. Im Jahr 2018 soll der Vorstandsvorsitzende Zhu Yiming den niederländischen Halbleiterausrüster ASML besucht haben, um über den Kauf von Anlagen zu verhandeln.

Ursprünglich wurde angenommen, dass Innotron einen LPDDR4-Speicher mit einer Kapazität von 8 GB als erstes Produkt ausgewählt hatte. Analysten sahen damals mögliche Patentstreitigkeiten und Probleme mit geistigem Eigentum als Hindernisse für den Wettbewerb mit den etablierten Speicherherstellern an. Mitte 2018 soll die Testproduktion von 8-GB-LPDDR4-Speichern im 19-nm-Verfahren begonnen haben. Die anfängliche Kapazität von Innotron betrug ungefähr 20.000 Wafer im Monat und war damit im Vergleich zur weltweiten Speicherindustrie gering.

Im Jahr 2019 änderte Innotron seinen Namen in ChangXin Memory Technologies. Berichten zufolge nahm das Unternehmen Änderungen an seinen Speicherentwürfen vor, um das Risiko möglicher Technologiesanktionen im Zusammenhang mit dem Handelskonflikt zwischen den Vereinigten Staaten und der Volksrepublik China zu verringern. Im Dezember 2019 erklärte das Unternehmen gegenüber EE Times, dass seine erste Fabrik die Produktion aufgenommen habe und monatlich 20.000 Wafer verarbeite. Produziert wurden LPDDR4- und DDR4-DRAM-Chips mit einer Kapazität von 8 GB im 19-nm-Verfahren.

Im ersten Quartal 2025 entfielen Berichten zufolge rund sechs Prozent der weltweiten DRAM-Produktion auf CXMT. Das Unternehmen strebte an, diesen Anteil bis zum vierten Quartal 2025 auf zehn Prozent zu erhöhen. Anfang 2025 begann CXMT mit dem Verkauf von DDR5-Speichern.

Unternehmensstruktur und Börsengang

Im Börsenprospekt von 2026 wurde die Emittentin als ChangXin Technology Group Co., Ltd. bezeichnet, die im Englischen auch unter dem Namen CXMT Corporation auftritt. Nach Angaben des Prospekts verfügte das Unternehmen nicht über einen beherrschenden Aktionär, jedoch verfügten staatsnahe Akteure über einen bedeutenden Einfluss. Als fünf unmittelbare Anteilseigner, die vor dem Börsengang jeweils mehr als fünf Prozent hielten, wurden Qinghui Jidian mit 21,67 Prozent, ChangXin Integrated mit 11,71 Prozent, die zweite Phase des China Integrated Circuit Industry Investment Fund mit 8,73 Prozent, Hefei Jixin mit 8,37 Prozent und Anhui Investment mit 7,91 Prozent genannt. Nach Angaben von Reuters hielten mit der Stadtregierung von Hefei verbundene Investoren zusammen 36,8 Prozent des Unternehmens.

Reuters berichtete im Dezember 2025, dass CXMT durch die Ausgabe von 10,6 Milliarden Aktien in Shanghai insgesamt 29,5 Milliarden Yuan einnehmen wollte. Der Prospekt beschrieb die geplante Transaktion als Ausgabe gewöhnlicher Renminbi-Aktien am STAR Market der Shanghai Stock Exchange. Der öffentlich angebotene Anteil sollte vor einer möglichen Mehrzuteilungsoption mindestens zehn Prozent des Aktienkapitals nach dem Börsengang ausmachen. Im Juni 2026 genehmigte die China Securities Regulatory Commission den Börsengang. Mitte Juli 2026 wurde der Ausgabepreis auf 8,66 Yuan je Aktie festgelegt. Der Emissionserlös betrug zunächst 57,92 Milliarden Yuan (ungefähr 8,6 Milliarden US-Dollar), was fast dem Doppelten des ursprünglich geplanten Betrags entsprach. Es handelte sich um den bis dahin größten Börsengang eines Halbleiterunternehmens in Festlandchina. Am ersten Handelstag, dem 27. Juli 2026, lag der Schlusskurs der Aktie bei 49 Yuan, was einem Anstieg von etwa 466 Prozent im Vergleich zum Ausgabepreis entsprach. Mit einem Marktwert von rund 3,3 Billionen Yuan überholte CXMT die Industrial and Commercial Bank of China und wurde zum wertvollsten an einer Börse in Festlandchina notierten Unternehmen. Am 25. August 2026 wurde die Mehrzuteilungsoption vollständig ausgeübt, wodurch sich der Emissionserlös auf 66,61 Milliarden Yuan erhöhte.

Geschäftstätigkeit und Produkte

Im Jahr 2026 war CXMT der größte DRAM-Hersteller Chinas und der viertgrößte weltweit. Reuters berichtete im Dezember 2025, dass das Unternehmen drei DRAM-Fabriken für 12-Zoll-Wafer in Peking und Hefei betrieb. Laut dem von Reuters zitierten Börsenprospekt hatte CXMT vier Generationen eigener DRAM-Technologien entwickelt und im zweiten Quartal 2025 einen Anteil von vier Prozent am weltweiten DRAM-Markt erreicht. Auf Samsung Electronics, SK Hynix und Micron Technology entfielen zusammen mehr als 90 Prozent des Marktes. Nach Angaben des Marktforschungsunternehmens Counterpoint Research erreichte CXMT im zweiten Quartal 2026 erstmals einen Anteil von zehn Prozent am weltweiten DRAM-Umsatz, nach acht Prozent im Vorquartal. Der gemeinsame Anteil von Samsung, SK Hynix und Micron sank im Vergleich zum Vorjahr von 94 auf 87 Prozent.

Im August 2026 betrieb CXMT drei 12-Zoll-Fabriken, zwei in Hefei und eine in Peking, mit einer Gesamtkapazität von etwa 300.000 Wafern pro Monat. Weitere Werke in Shanghai und Hefei befanden sich im Bau. Das Unternehmen plante zudem, eine zweite Fabrik im Pekinger Gewerbegebiet Yizhuang zu errichten, und führte Gespräche mit der dortigen Entwicklungszone über die Finanzierung, wie Reuters berichtete. Nach Abschluss dieser Projekte könnte die Kapazität auf über 600.000 Wafer pro Monat steigen.

Auf seiner Website führt CXMT DDR5-Speicherchips und DDR5-Speichermodule, LPDDR5- und LPDDR5X-Produkte, DDR4-Speicherchips und DDR4-Speichermodule sowie LPDDR4X-Produkte auf. Reuters berichtete, dass das Unternehmen im November 2025 seine neuesten DDR5-DRAM-Chips vorgestellt habe. Die Erlöse aus dem Börsengang sind für die Modernisierung der Produktionslinien, die Entwicklung fortgeschrittener DRAM-Technologien und die Erweiterung der Produktpalette vorgesehen.

Das Unternehmen investierte außerdem in High Bandwidth Memory (HBM), eine spezialisierte Form von DRAM, die zusammen mit Prozessoren für Anwendungen der künstlichen Intelligenz eingesetzt wird. CXMT plante, bis Ende 2026 die Produktion in einer Anlage für die nachgelagerte Verpackung und Montage von HBM-Chips in Shanghai aufzunehmen. Ende August 2026 berichtete The Information unter Berufung auf informierte Kreise, dass CXMT mit der Produktion von HBM3E in kleinen Stückzahlen begonnen habe.

Im Mai 2026 berichtete Reuters unter Berufung auf einen aktualisierten Börsenprospekt, dass der Umsatz im ersten Quartal 2026 gegenüber dem Vorjahreszeitraum um mehr als 700 Prozent auf 50,8 Milliarden Yuan gestiegen war. Das Unternehmen führte den Anstieg auf höhere DRAM-Preise, eine ausgeweitete Produktion und eine verbesserte Zusammensetzung seiner Produktpalette zurück. Im gesamten ersten Halbjahr 2026 belief sich der Umsatz von CXMT auf 150,31 Milliarden Yuan, verglichen mit 15,44 Milliarden Yuan im gleichen Zeitraum des Vorjahres. Der Nettogewinn, der den Aktionären zuzurechnen ist, belief sich auf 77,61 Milliarden Yuan. Im ersten Halbjahr 2025 wies das Unternehmen noch einen Verlust von 2,33 Milliarden Yuan auf.

Vorwürfe des Technologiediebstahls

CXMT wurde mit mehreren mutmaßlichen Fällen des Diebstahls geistigen Eigentums in Verbindung gebracht. Im Dezember 2025 erhob die Staatsanwaltschaft Seoul Anklage gegen zehn ehemalige Mitarbeiter von Samsung, die Technologie zur Herstellung von DRAM-Chips der 10-nm-Klasse an CXMT weitergegeben haben sollen. Fünf von ihnen, darunter der bei CXMT für die Entwicklung dieser Technologie verantwortliche Manager, wurden in Untersuchungshaft genommen. Einem der Angeklagten wird zudem vorgeworfen, über ein Tochterunternehmen von SK Hynix Schlüsseltechnologien dieses Unternehmens weitergegeben zu haben. Samsung war zu dem Zeitpunkt, als CXMT die Mitarbeiter anwarb, das einzige Unternehmen, das DRAM der 10-nm-Klasse in Serie fertigte. Nach Angaben der Staatsanwaltschaft ermöglichte die weitergegebene Technologie CXMT, im Jahr 2023 als erstes chinesisches Unternehmen DRAM der 10-nm-Klasse herzustellen. Die Entwicklung der betroffenen Technologie hatte Samsung nach Medienangaben innerhalb von fünf Jahren mehr als eine Milliarde US-Dollar gekostet. Die mutmaßlich entwendeten Geschäftsgeheimnisse sollen es CXMT ermöglicht haben, zeit- und kostenintensive Entwicklungsschritte zu überspringen.

US-Sanktionen

Im Jahr 2022 untersagte der James M. Inhofe National Defense Authorization Act for Fiscal Year 2023 den Bundesbehörden der Vereinigten Staaten den Kauf und die Verwendung von Chips des Unternehmens CXMT. Im März 2024 berichtete Bloomberg News, dass das dem Handelsministerium der Vereinigten Staaten unterstehende Bureau of Industry and Security mögliche Sanktionen gegen CXMT prüfe. Im Juni 2026 setzte das Verteidigungsministerium der Vereinigten Staaten CXMT auf eine Liste chinesischer Unternehmen, denen Verbindungen zum chinesischen Militär zugeschrieben werden.

Weblinks

• englische Website

Einzelnachweise