Transfer Line Methode

Die Transfer Line Methode (auch Transferlängen-Methode oder Transferlängen-Messung) ist ein Verfahren aus den Halbleiter- und Werkstoffwissenschaften und bezeichnet die Messung des Kontaktwiderstands mit Hilfe einer zweidimensionalen Teststruktur. Das Verfahren wurde erstmals 1964 von dem Physiker William Shockley eingeführt. Es ist heutzutage ein oft verwandtes Verfahren, um die Übergangswiderstände von Halbleiter- und Metallschichten in zum Beispiel der Mikrosystemtechnik zu bestimmen.

Einzelnachweise

↑ Małgorzata Musztyfaga-Staszuk: Comparison of the Values of Solar Cell Contact Resistivity Measured with the Transmission Line Method (TLM) and the Potential Difference (PD). In: Materials (Basel, Switzerland). Band 14, Nr. 19, 26. September 2021, ISSN 1996-1944, S. 5590, doi:10.3390/ma14195590, PMID 34639986, PMC 8509334 (freier Volltext) – (nih.gov [abgerufen am 14. Mai 2026]).
↑ Detailed investigation of TLM contact resistance measurements on crystalline silicon solar cells. In: Solar Energy. Band 151, 15. Juli 2017, ISSN 0038-092X, S. 163–172, doi:10.1016/j.solener.2017.05.015 (sciencedirect.com [abgerufen am 14. Mai 2026]).
↑ A. Goetzberger, R. M. Scarlett: Research and Investigation of Inverse Epitaxial UHF Power Transistors. Defense Technical Information Center, Fort Belvoir, VA 1. September 1964, doi:10.21236/ad0605376 (dtic.mil [abgerufen am 14. Mai 2026]).

[1] Małgorzata Musztyfaga-Staszuk: Comparison of the Values of Solar Cell Contact Resistivity Measured with the Transmission Line Method (TLM) and the Potential Difference (PD). In: Materials (Basel, Switzerland). Band 14, Nr. 19, 26. September 2021, ISSN 1996-1944, S. 5590, doi:10.3390/ma14195590, PMID 34639986, PMC 8509334 (freier Volltext) – (nih.gov [abgerufen am 14. Mai 2026]).

[2] Detailed investigation of TLM contact resistance measurements on crystalline silicon solar cells. In: Solar Energy. Band 151, 15. Juli 2017, ISSN 0038-092X, S. 163–172, doi:10.1016/j.solener.2017.05.015 (sciencedirect.com [abgerufen am 14. Mai 2026]).

[3] A. Goetzberger, R. M. Scarlett: Research and Investigation of Inverse Epitaxial UHF Power Transistors. Defense Technical Information Center, Fort Belvoir, VA 1. September 1964, doi:10.21236/ad0605376 (dtic.mil [abgerufen am 14. Mai 2026]).