Galliumantimonidi
| Galliumantimonidi | |
|---|---|
 |
|
| Tunnisteet | |
| IUPAC-nimi | Gallanylidynestibane (englanniksi) |
| Muut nimet | Gallium(III)antimonidi |
| PubChem CID | 4227894 ja 9794125 |
| SMILES | [Ga]#[Sb] |
| Ominaisuudet | |
| Molekyylikaava | GaSb |
| Moolimassa | 191,48 g/mol |
| Ulkomuoto | kiinteä aine |
| Sulamispiste | 710–712 °C (983–985 K) |
| Tiheys | 5,6 g/cm3 |
| Liukoisuus veteen | veteen liukenematon |
|
|
|
Galliumantimonidi (GaSb, gallium antimonide) on galliummetallin ja puolimetalleihin kuuluvan antimonin muodostama epäorgaaninen yhdiste, jossa gallium jakaa elektropositiivisena (Linus Paulingin elektronegatiivisuusarvoilla 1,6) elektroninsa elektronegatiivisemmalle antimonille (elektronegatiivisuusarvo 1,9).
Elektronegatiivisuusarvojen pienen eroavuuden vuoksi galliumin ja antimonin välille muodostuu kovalenttinen kolmoissidos. Alkuaineparista johtuen yhdisteellä esiintyy puolijohteen ominaisuuksia. Galliumantimonidi on myrkyllistä ihmiselle ja ympäristölle.
Käyttö
Galliumantimonidin kemiallisia ja fysikaalisia ominaisuuksia on tutkittu vuosikymmenten ajan sen puolijohdemaisen käyttäytymisen vuoksi. Infrapunakokeissa galliumantimonidikiteiden optisia, sähköisiä sekä termisiä ominaisuuksia on tutkittu joko sellaisinaan tai kiteitä on käsitelty lyijyllä.
Galliumantimonidia käytetään elektronisissa laitteissa, esimerkiksi ympäristöön pääsevien myrkkykaasujen IR-havaitsimissa, LED-valoissa, lasereissa, transistoreissa sekä aurinkoenergiaa keräävissä termisissä valosähköisissä piireissä. Galliumantimonidi on herkkä ilmankosteudelle, minkä vuoksi sitä ei käytetä arjen sähkölaitteissa, vaan kyseisen yhdisteen ovat korvanneet joko indiumin puolijohteet tai germanium.
Lähteet
- American Elements, viitattu 19.12.2014.
- PubChem, viitattu 19.12.2014.
- Chem Industry (Arkistoitu – Internet Archive), viitattu 19.12.2014.
- Gallium antimonide (Arkistoitu – Internet Archive), Ioffe Institute, viitattu 19.12.2014.
- Galliumantimonidin käyttöturvallisuustiedote, Sigma Aldrich, viitattu 19.12.2014.
- Haavisto, Anja et al.(2003). MAOL-taulukot. Helsinki, Otava. s. 133–134.
- Hernandez-Zarazua, R. et al. (2004). Investigation of the Phase Diagram of the Pb-Ga-Sb System, Thin. Sol. Fi., 461(2), s. 233–236.
- Kim, H. J. et al. (2005). Influence of Native Defects on the Infrared Transmissions of Undoped Ga-In-Sb Bulk Crystals, J. Electron. Mater., 34(11), s. 1391–1398.
- Pashinkin, A. S.; Fedorov, V. A.; Malkova, A. S. & Mikhailova, M.S. (2010). Heat Capacity of GaBV and InBV (BV = P, As, Sb) above 298 K, Inorg. Mater., 46(9), s. 1007–1012.
- Piesbergen, Ulrich. (1963). Die durchschnittlichen Atomwärmen der AIIIBV-Halbleiter AlSb, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb und die Atomwärme des Elements Germanium zwischen 12 und 273 K, Zeitschrift für Naturforschung, 18a(2), s. 141–147.
- Singh, B. P.; Tripti, S. & Singh, Vipnesh. (2008). Analysis of Optoelectronic Properties of ANB8-N Type Binary Solids, Indian J. Pure Appl. Phys., 46(7), s. 502–506.
- Tro, Nivaldo J. (2008). Chemistry: A Molecular Approach. New Jersey: Pearson Education, Prentice Hall. s. 377–381.