2 nm

Dans la fabrication des semi-conducteurs, le procédé 2 nm est le die shrink du MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal–oxyde–semiconducteur) succédant au nœud de procédé 3 nm.

Le terme « 2 nanomètres », ou alternativement « 20 angström » (un terme utilisé par Intel), n’a aucun lien avec une quelconque caractéristique physique réelle (comme la longueur de la grille, le pas de métal ou le pas de grille) des transistors. Selon les projections contenues dans la mise à jour 2021 de l'International Roadmap for Devices and Systems (feuille de route internationale pour les dispositifs et systèmes) publiée par l’Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), dans l'industrie des semi-conducteurs, une « étiquette de nœud de 2,1 nm » devrait avoir un pas de grille minimal (contacted gate pitch) de 45 nanomètres et un pas de métal minimal ( tightest metal pitch) de 20 nanomètres.

Ainsi, 2 nm est principalement utilisé comme terme marketing par l’industrie des semi-conducteurs pour désigner une nouvelle génération améliorée de puces en termes d’augmentation de la densité de transistors (un degré de miniaturisation plus élevé), d’une vitesse accrue et d’une consommation d’énergie réduite par rapport à la génération précédente de nœuds à 3 nm^,.

TSMC a commencé la production à risque de son procédé 2 nm en juillet 2024^, et est entré en production de série au quatrième trimestre 2025 comme prévu. Samsung a commencé la production de masse de son procédé 2 nm de première génération (SF2) en 2025, initialement pour son processeur Exynos 2600, avec des rendements annoncés entre 50 et 60 % jusqu’au début de 2026. L’entreprise prévoit d’accélérer son procédé 2 nm de deuxième génération (SF2P) en 2026. Intel n’a pas poursuivi un nœud conventionnel 2 nm et a plutôt fait progresser son procédé Intel 18A (classe 1,8 nm), qui est entré en production à grande échelle fin 2025 et est positionné pour des clients internes et externes de la fonderie.

Références

v · m Fabrication des dispositifs à semi-conducteurs
10 µm (1971) 3 µm (1975) 1,5 µm (1982) 1 µm (1985) 800 nm (1989) 600 nm (1994) 350 nm (1995) 250 nm (1997) 180 nm (1999) 130 nm (2002) 90 nm (2004) 65 nm (2006) 45 nm (2008) 32 nm (2010) 22 nm (2012) 14 nm (2014) 10 nm (2017) 7 nm (2018) 5 nm (2020) 3 nm (en) (2022) 2 nm (2025)

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