Nanodruty – jednowymiarowe nanostruktury o średnicy rzędu nanometrów (najczęściej od kilku do około 100 nm) i długości znacznie przekraczającej ich średnicę. W skali nanometrycznej właściwości nanodrutów różnią się od właściwości materiałów masowych, zwłaszcza w zakresie transportu elektronów, gdzie obserwuje się efekty kwantowe.
Nanodruty otrzymuje się z metali (np. złota, niklu, platyny), półprzewodników (m.in. krzemu, GaN, InP) oraz materiałów dielektrycznych. Ze względu na dużą powierzchnię właściwą oraz możliwość kontroli parametrów elektrycznych znajdują zastosowanie w nanoelektronicefotowoltaice, czujnikach oraz badaniach nad elementami elektroniki kwantowej.
Definicja i charakterystyka
Nanodrut traktowany jest jako struktura jedno- lub quasi-jednowymiarowa, w której ruch nośników ładunku jest ograniczony w dwóch wymiarach przestrzennych. Wraz ze zmniejszaniem średnicy rośnie udział zjawisk powierzchniowych, co wpływa na przewodnictwo oraz właściwości cieplne.
Metody wytwarzania
Nanodruty mogą być wytwarzane metodami typu „top-down”, polegającymi na miniaturyzacji większych struktur przy użyciu litografii i trawienia, oraz metodami „bottom-up”, w których struktura rośnie z fazy gazowej lub ciekłej na podłożu krystalicznym. Do najczęściej stosowanych mechanizmów należy wzrost typu VLS (vapor–liquid–solid).
Właściwości fizyczne
Przewodnictwo elektryczne
W bardzo cienkich nanodrutach metalicznych obserwuje się zjawisko kwantyzacji przewodnictwa, polegające na przyjmowaniu przez przewodność wartości dyskretnych.
W nanodrutach krzemowych właściwości elektryczne zależą nie tylko od średnicy i orientacji krystalicznej, lecz także od stanów powierzchniowych oraz obecności pozostałości katalizatora metalicznego użytego w procesie wzrostu.
Łączenie nanodrutów
W badaniach eksperymentalnych wykazano możliwość łączenia ultracienkich nanodrutów złota poprzez bezpośredni kontakt mechaniczny, bez konieczności podgrzewania materiału.
↑VarleiRodrigues,TobiasFuhrer,DanielUgarte.Signature of Atomic Structure in the Quantum Conductance of Gold Nanowires.„Physical Review Letters”.85(19),s.4124–4127,2000. DOI: 10.1103/PhysRevLett.85.4124.ISSN0031-9007. PMID: 11056640.(ang.).
↑Michael G.Raymer:The Silicon Web: Physics for the Internet Age.Boca Raton:CRC Press,2009,s.365. ISBN978-1-4398-0312-7.(ang.).
↑PengYu,JiangWu,ShentingLiu,JieXiongi inni.Design and abrication of silicon nanowires towards efficient solar cells.„Nano Today”.11(6),s.704–737,2016. DOI: 10.1016/j.nantod.2016.10.001.(ang.).
↑J.L.P.Vizcaíno,C.G.A.Núñez.Fast, effective manipulation of nanowires for electronic devices.„SPIE Newsroom”,2013. DOI: 10.1117/2.1201312.005260.(ang.).
↑JoergAppenzeller,JoachimKnoch,Mikael T.Bjork,HeikeRieli inni.Toward nanowire electronics.„IEEE Transactions on Electron Devices”.55(11),s.2827–2845,2008. DOI: 10.1109/TED.2008.2008011.(ang.).
↑ZheCheng,LongjuLiu,ShenXu,MengLui inni.Temperature Dependence of Electrical and Thermal Conduction in Single Silver Nanowire.„Scientific Reports”.5(1),s.10718,2015. DOI: 10.1038/srep10718.ISSN2045-2322.(ang.).
↑Hobbs, Richard G.;Petkov, Nikolay; Holmes, Justin D.Semiconductor Nanowire Fabrication by Bottom-Up and Top-Down Paradigms.„Chemistry of Materials”.24(11),s.1975–1991,2012. DOI: 10.1021/cm300570n.(ang.).
↑Djenizian, Thierry.Electrochemical fabrication of tin nanowires: A short review.„Comptes Rendus Chimie”.11(9–10),s.1023–1029,2008. DOI: 10.1016/j.crci.2008.05.003.
↑Pinion, Christopher W.; Christesen, Jeffrey D.; Cahoon, James F.Understanding the vapor–liquid–solid mechanism of silicon nanowire growth.„Journal of Materials Chemistry C”.4(1),s.37–46,2016. DOI: 10.1039/C5TC03898G.(ang.).
↑A.I.Yanson,G.Rubio Bollinger,H.E.van den Brom,N.Agraïti inni.Formation and manipulation of a metallic wire of single gold atoms.„Nature”.395(6704),s.783–785,1998. DOI: 10.1038/27405.ISSN0028-0836.(ang.).
↑L.Borowik,I.Florea,D.Deresmes,O.Erseni inni.Surface and Intrinsic Conduction Properties of Au-Catalyzed Si Nanowires.„The Journal of Physical Chemistry C”.116(7),s.6601–6607,2012. DOI: 10.1021/jp300816e.(ang.).