Difluorsilan

Strukturformel
Keile zur Verdeutlichung der Geometrie
Allgemeines
Name	Difluorsilan
Summenformel	SiH2F2
Kurzbeschreibung	farbloses Gas
Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer 13824-36-7 PubChem 123331 Wikidata Q16644597
Eigenschaften
Molare Masse	68,10 g·mol−1
Aggregatzustand	gasförmig
Dichte	2,783 g·l−1
Schmelzpunkt	−122 °C
Siedepunkt	−77,8 °C
Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung keine Einstufung verfügbar
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Difluorsilan ist eine anorganische chemische Verbindung aus der Gruppe der Silane.

Gewinnung und Darstellung

Difluorsilan kann durch Reaktion von Dichlorsilan mit Antimon(III)-fluorid gewonnen werden.

${\displaystyle \mathrm {3\ SiH_{2}Cl_{2}+2\ SbF_{3}\longrightarrow 3\ SiH_{2}F_{2}+2\ SbCl_{3}} }$

Es entsteht auch neben Trifluorsilan bei der Reaktion von Tetrafluorsilan mit Wasserstoff.

Eigenschaften

Difluorsilan ist ein farbloses Gas und hat den höchsten Siedepunkt alle Fluorsilane. Es zersetzt sich bei Temperaturen ab etwa 450 °C zu SiHF₃, SiF₄ und anderen Verbindungen.

Verwendung

Difluorsilan kann zur Abscheidung von Siliciumnitridfilmen verwendet werden.

Einzelnachweise

1. 1 2 3 4 5 6 William M. Haynes: CRC Handbook of Chemistry and Physics, 93rd Edition. CRC Press, 2016, ISBN 978-1-4398-8050-0, S. 87 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche). 
2. ↑ Dieser Stoff wurde in Bezug auf seine Gefährlichkeit entweder noch nicht eingestuft oder eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.
3. ↑ C. C. Addison: Inorganic Chemistry of the Main-Group Elements. Royal Society of Chemistry, 1973, ISBN 978-0-85186-752-6, S. 188 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche). 
4. ↑ Advances in Inorganic Chemistry and Radiochemistry. Academic Press, 1964, ISBN 978-0-08-057855-2, S. 167 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche). 
5. ↑ E. A. V. Ebsworth: Volatile Silicon Compounds International Series of Monographs on Inorganic Chemistry. Elsevier, 2013, ISBN 978-1-4831-8055-7, S. 54 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche). 
6. ↑ Theodore M. Besmann: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Chemical Vapor Deposition. The Electrochemical Society, 1996, ISBN 978-1-56677-155-9, S. 203 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche). 
7. ↑ Nobuaki Watanabe, Mamoru Yoshida, Yi-Chao Jiang, Tutomu Nomoto, Ichimatsu Abiko: Preparation of Plasma Chemical Vapor Deposition Silicon Nitride Films from SiH2F2 and NH3 Source Gases. In: Japanese Journal of Applied Physics. 30, 1991, S. L619, doi:10.1143/JJAP.30.L619.