Surrounding Gate Transistor

Questa voce sull'argomento elettronica è solo un abbozzo.

Contribuisci a migliorarla secondo le convenzioni di Wikipedia.

Surrounding Gate Transistor o in breve SGT è una nuova tecnologia per transistor 3D ideata dalla giapponese Unisantis Electronics e dall'Institute of Microelectronics di Singapore.

Il capo del progetto della durata di 24 mesi è Fujio Masuoka. Il transistor dovrebbe operare a frequenze tra i 20 e i 50 GHz, offrendo anche meno dispersione di calore grazie alla sua configurazione geometrica.

Voci correlate

• Transistor 3D

Collegamenti esterni

• Punto Informatico, su punto-informatico.it.
• (EN) Unisantis, su unisantis-el.jp. URL consultato l'11 dicembre 2007 (archiviato dall'url originale il 16 dicembre 2007).

V · D · M Transistor amplificatori
Transistor a giunzione bipolare	Base comune · Collettore comune · Emettitore comune
Transistor a effetto di campo	Source comune · Drain comune · Gate comune
Combinazioni di transistor	Darlington · Sziklai pair · Cascode · Transistor Schottky · Transistor-transistor logic · Emitter-coupled logic

Portale Elettronica: accedi alle voci di Wikipedia che trattano di Elettronica