No Samsung Tech Day 2022, a Samsung anunciou o GDDR7 como o sucessor do GDDR6X, que poderia fornecer até 36 GT/s. A Samsung anunciou dois meses depois que usaria a sinalização PAM-3 para atingir a maior taxa de transferência.
Em 8 de março de 2023, a Cadence anunciou a ferramenta de solução de verificação para produção preliminar de SDRAM GDDR7.
Em 30 de junho de 2023, a Micron anunciou que será fabricado usando nó 1ß (equivalente ao nó de processo de 12–10 nm), com lançamento previsto para o primeiro semestre de 2024.
Em 18 de julho de 2023, a Samsung anunciou a primeira geração do GDDR7, que pode atingir até 32 Gbps por pino (largura de banda 33% maior por pino em comparação com 24 Gbps por pino no GDDR6), largura de banda 40% maior (1,5 TB/s) em comparação com GDDR6 (1,1 TB/s) e 20% mais eficiente em termos energéticos. Para o material de embalagem, utilizará composto de moldagem epóxi (EMC) juntamente com otimização da arquitetura IC, o que reduzirá a resistência térmica em 70%. Mais tarde, em uma sessão de perguntas e respostas, a Samsung mencionou que será fabricado usando o nó D1z (equivalente a 15–14 nm) e operará em 1,2V. Uma versão 1.1V com velocidades de clock reduzidas também será disponibilizada em algum momento no futuro, após o lançamento da versão 1.2V.
Em 5 de março de 2024, a JEDEC publicou oficial e publicamente o padrão de memória gráfica GDDR7.
Tecnologias
GDDR7 SDRAM introduziu sinalização PAM-3 (modulação de amplitude de pulso de 3 níveis) em vez de NRZ. O PAM-3 é 20% mais eficiente em termos energéticos que o NRZ, com maior largura de banda e requisitos de equipamento mais baixos que o PAM-4, o que o torna mais barato. O PAM-3 usa 1,58 bits por ciclo, enquanto o NRZ usa apenas 1 bit por ciclo. SDRAM GDDR7 também será fabricada usando nó 1ß (equivalente ao nó de processo de 12–10 nm), que será o último processo de produção de DRAM que dependerá de ferramentas de litografia ultravioleta profunda (DUV).